O IGBT se difere do MOSFET por possuir uma camada de substrato p+ onde torna a região fortemente dopada com dopante tipo p, onde esta camada p+ ira incluir mais portadores positivos as chamadas lacunas na região de arraste igualando ao transistor bipolar PNP.

O IGBT tem como principal característica a união do transistor bipolar de potencia com sua grande velocidade de comutação, e do MOSFET com sua alta impedância de entrada.

As principais utilizações do IGBT são em equipamentos de potência como conversores de frequência, inversores.

O IGBT não possui semelhança com a estrutura do transistor MOSFET, no IGBT as regiões P e N possuem uma dupla difusão.

Proteção contra tensões reversas é feita com ligação de diodos em paralelo entre coletor e emissor, com isso pode se evitar danos devido a elevadas tensões reversas aplicadas ao dispositivo.