Considerando o texto apresentado, avalie as seguintes afirmações sobre diferentes dispositivos semicondutores de potência:

• I. O diodo de potência é um dispositivo semicondutor usado para bloquear a corrente em uma direção e permitir que a corrente flua na direção oposta.
• II. O GTO (Thyristor de Desligamento por Porta) é um dispositivo semicondutor bipolar que permite que a corrente flua em ambas as direções, sendo principalmente utilizado em aplicações de alta frequência.
• III. O MOSFET é um dispositivo semicondutor de potência unidirecional que tem a capacidade de controlar a quantidade de corrente que flui através dele a partir de uma corrente proporcional injetada no terminal de porta.
• IV. O IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta capacidade de bloqueio de tensão do MOSFET com a baixa resistência de condução do transistor bipolar.
• V. O SCR (Retificador Controlado por Silício) é um dispositivo semicondutor unidirecional amplamente utilizado em circuitos de controle de potência, como retificadores controlados de onda completa.