Um semicondutor do tipo p pode ser obtido da dopagem de um cristal de silício através de elementos como o fósforo.

É na dopagem que ocorre a purificação máxima de um elemento semicondutor, conforme desejável para a produção de transistores, por exemplo.

Geralmente, cristais de germânio são dopados com silício para a obtenção de supercondutores.

A dopagem não depende da pureza do material a ser trabalhado, mas da quantidade de impurezas adicionadas.

A dopagem de um cristal de silício puro permite a obtenção de um semicondutor do tipo n ao utilizar átomos pentavalente, como é o caso do antimônio.