A análise das perdas em circuitos eletrônicos de potência é importante quando estamos falando de processamento de grandes quantidades de energia. Os “circuitos chaveados” são aqueles os quais utilizam semicondutores de potência para controlar a quantidade de energia que circula de um ponto a outro em um circuito elétrico. Por meio destes circuitos foi possível aumentar os níveis de eficiência quando comparamos o mesmo processo feito a partir de um dispositivo como um reostato de potência. Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores.

I) Um diodo de corpo pode ser utilizando para proteger o MOSFET quando este é aplicado em circuitos eletrônicos com características indutivas.

II) A quantidade de potência durante o estado ligado (condução) não depende da frequência de chaveamento do circuito, sendo essa apenas relevante no cálculo da potência durante o chaveamento.

III) Se desconsiderarmos apenas a resistência de corpo (intrínseca) de um SCR podemos afirmar que a potência dissipada (perda) durante o estado ligado (P ) será nula. Desta forma podemos considerar a eficiência de 100% na conversão de potência.

IV) O dispositivo IGBT, assim como o MOSFET possuem características similares e quando operando na região ativa, possuem ganhos entre a corrente de Dreno/Coletor e a corrente de gate. Porém, em eletrônica de potência, utilizamos estes dois componentes essencialmente nas regiões de saturação e corte, apenas.