Em um dispositivo semicondutor, uma camada de óxido forma uma barreira com 0.5 ext{ nm} de largura e 10 ext{ V} de altura entre os dois fios condutores. Elétrons chegam a barreira depois de serem acelerados por uma tensão de 5 ext{ V}, partindo aproximadamente do repouso. Qual deve ser a tensão de aceleração para que a fração dos elétrons incidentes que consegue atravessar a barreira por tunelamento seja o dobro do valor encontrado no item (i)?