Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do material semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medida que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.
Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no
processo de saturação fará com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia suficiente para que deixem o átomo de origem.