Os transistores bipolares de porta isolada são conhecidos por possuírem a união das qualidades dos transistores BJT e MOSFET. Em relação aos IGBTs, é correto afirmar:

1. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para ligado, basta aplicar uma ddp em seus terminais maior que 1 V.
2. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para ligado, basta interromper a tensão de porta.
3. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para o estado desligado, basta eliminar a tensão na porta.
4. Para alterar o estado de ligado de um IGBT, basta polarizar negativamente o pino coletor em relação ao emissor.