Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1 °C.

( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é 'Is dobrar a cada aumento de 10 °C', se a variação de temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento.

( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).

( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: