É possível implementar, assim como para os JFETs ou MOSFETs, no modo de depleção, a polarização na região ôhmica. Nesse caso, sabe-se que a corrente no dreno, na saturação, é resultado da razão entre a tensão contínua aplicada ao dreno ( V_{D} ) sobre a resistência utilizada junto com o dreno ( R_{D} ).

Assim, com base nisso e em nossos estudos a respeito do funcionamento dos MOSFETs no modo de crescimento, analise as afirmativas a seguir e marque V para as verdadeiras e F para as falsas.

1. ( ) Para efetuar a polarização na região ôhmica, estabelece-se a corrente de saturação menor do que a corrente no dreno ligado.
2. ( ) Quando V_{GS} > V_{TH}, tem-se uma possível condição para que o dispositivo opere na região ôhmica.
3. ( ) Na região ôhmica, o MOSFET no modo de crescimento é equivalente à uma grande impedância.
4. ( ) O MOSFET-E pode estar associado à ligação de um motor de corrente contínua, com um relé.