Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por \sigma = p \cdot I \cdot \mu_h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6 \times 10^{-19} C, e \mu_h é mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5 \times 10^{22}/m^3 átomos de Boro, considerando \mu_h = 0,05 m^2/V.s.