Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. ( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC. ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD. ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: