Questão de Materiais Elétricos

Em semicondutores, devemos considerar que sempre que criamos uma carga negativa, automaticamente "criamos" uma carga positiva (lei da conservação das cargas), que está associada ao conceito físico de vazio (volume deixado pela saída do elétron), "buraco" ou, em inglês, hole. A condutividade elétrica nos semicondutores intrínsecos é dependente da movimentação dos portadores de carga negativos (elétrons) e positivos (buracos) da seguinte forma: σ = N |e| µ_e + P |e| µ_h, onde σ é a condutividade elétrica do material (ohm.m)-1; onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3), respectivamente |e| é o módulo da carga do elétron (1,6 imes 10^{-19} C), µ_e e µ_h são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando o exposto, pode-se afirmar que:

A
Nos condutores intrínsecos, tem-se N=P e, portanto, pode-se escrever que σ = N |e| (µ_e + µ_h).
B
Nos condutores intrínsecos, raramente tem-se N=P e, portanto, deve-se manter a expressão σ = N |e| µ_e + P |e| µ_h.
C
Nos condutores extrínsecos do tipo-n, onde N é muito maior que P, pode-se aproximar a expressão por σ = P |e| µ_h.
D
Nos condutores extrínsecos do tipo-p, onde P é muito maior que N, pode-se aproximar a expressão por σ = N |e| µ_h.
E
A expressão σ = N |e| µ_e + P |e| µ_h é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.

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