Em um dispositivo semicondutor, uma camada de óxido forma uma barreira com 0.5 ext{ nm} de largura e 10 ext{ V} de altura entre os dois fios condutores. Elétrons chegam a barreira depois de serem acelerados por uma tensão de 5 ext{ V}, partindo aproximadamente do repouso. Qual fração dos elétrons incidentes consegue atravessar a barreira por tunelamento?