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Um capacitor de placas paralelas possui placas circulares de raio 8,2 ext{ cm} e separação de 1,3 ext{ mm}.
Qual a capacitância e a carga que aparecerá sobre as placas se a ddp aplicada for de 120 ext{ V}, respectivamente?

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Na temperatura de 35 °C mediu-se o valor ad resistência de um resistor e obteve-se 15 \, ext{Ω}. O material do qual é constituído o resistor apresenta um coeficiente de temperatura \alpha_b igual a 0,0042 \, \text{°C}^{-1}. Determine o novo valor da resistência na temperatura de 58,8 \, ext{°C}.
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Leia com atenção as afirmações abaixo e responda:

I. Em todo processo de desenvolvimento deve-se levar em conta ainda as questões ambientais de origem e de sustentabilidade dos materiais; das fontes e quantidades de energia consumidas e quantidade e o tipo de lixo produzido enquanto o produto é produzido, durante toda a vida do produto em si e após o fim da vida útil do mesmo;

II. O projetista precisa ater-se a valores estáticos, políticos, econômicos, sociais, geográficos, etc., no sentido de rentabilizar as ferramentas, a organização e a lógica da industrialização, sob o risco da empresa não conseguir competir com a concorrência, tanto no lançamento de novos produtos como no re-design de outros;

III. O processo de desenvolvimento de um produto não se encerra mesmo após a sua produção em massa. É necessário que os projetistas acompanhem ainda a utilização do produto e como se dá a sua interação com o usuário;

IV. O projeto de produto, ou “design de produto”, ou ainda “design industrial” como é também conhecido é o meio através do qual um determinado objeto ou produto passa a existir e a ser comercial, assegurando-se de que a produção atenda aos requisitos de redução de custos e esteja de acordo com as especificações de projeto e normas técnicas de cada país onde será produzido, utilizado ou consumido;

V. O processo de fabricação é determinante para a criação e produção de objetos e produtos tridimensionais com foco no uso tanto humano quanto animal.

Assinale a alternativa correta:
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A técnica de inspeção por partículas magnéticas que ao ser aplicada produz faíscas capaz de deixar marcas na superfície do metal é denominada:

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Considerando que o circuito apresentado na Figura 4 possui um diodo de junção PN, com uma tensão de barreira 0,7V e uma tensão de ruptura de 40V. Indique em qual região da curva do diodo o dispositivo se encontrará quando você aplicar, respectivamente, a tensões na fonte VS de -50V, -10V, 10V, 50V.

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Ao realizar um processo de eletrização similar ao descrito no trecho anterior, observaremos:
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Leia com atenção as afirmações abaixo:

  1. Os semicondutores podem ser classificados como sendo intrínsecos (quando o elemento é utilizado puro) e extrínseco (quando o material é dopado com pequenas quantidades de impurezas cuidadosamente controladas);
  2. Um átomo é instável quando possui em sua última camada 1, 2 e 3 elétrons, os quais estão fracamente ligados ao seu núcleo e portanto seus elementos são denominados de materiais condutores, e são bons condutores de eletricidade;
  3. Um semicondutor é um elemento que encontra-se entre limites de condução e isolamento. Para a construção dos materiais semicondutores o Bário e o Fósforo são os elementos mais usados;
  4. Quando ocorre a união dos semicondutores tipo P e N o excesso de elétrons da parte N é atraída pela falta de elétrons da parte P, provocando recombinações de pares elétrons – lacunas, havendo inicialmente uma difusão de elétrons livres do lado N para o lado P e de lacunas do lado P para o lado N.

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Quais fatores afetam a eficiência da geração de energia hidrelétrica?

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Corresponde ao método através do qual o material foi criado, a partir de materiais existentes na natureza, ou ainda com a utilização de materiais desenvolvidos pelo homem: I – Estrutura do Material; II – Processamento do Material; III – Síntese do Material; IV – Composição Química. Assinale a alternativa verdadeira:
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A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão \sigma = C_n T^{-\frac{3}{2}} e^{-\frac{E_g}{2kT}}, na qual 'C' é uma constante associada ao material, 'T' é a temperatura em Kelvin, 'E_g' é a 'energia de gap' e 'k' é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 \times 10^{-5} \text{ eV/K}. Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que:

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