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Sobre a intensidade de corrente elétrica da lâmpada (L1) e a potência da lâmpada (L2), assinale a alternativa CORRETA:


Diferentes potências geram diferentes intensidades de correntes elétricas.

A
(L1) i = 0,45 ext{ A}; (L2) P = 25 ext{ W}.
B
(L1) i = 0,45 ext{ A}; (L2) P = 200 ext{ W}.
C
(L1) i = 0,45 ext{ A}; (L2) P = 45 ext{ W}.
D
(L1) i = 0,27 ext{ A}; (L2) P = 60 ext{ W}.
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Em geral para a inspeção de soldas planas pela técnica de eletrodos, a avaliação da intensidade da corrente é feita baseada:

A
na espessura da chapa
B
no tipo de material
C
na distância entre os pontos de contato.
D
alternativas (a) e (c) são corretas
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Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos 'impureza' na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.

A
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
B
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
C
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
D
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
E
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
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Sabendo que cristais com estrutura cúbica simples têm 1 átomo na célula unitária, qual é o fator de empacotamento atômico desses materiais?

A
42,4%.
B
52,4%.
C
32,4%.
D
60%.
E
30%.
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Assinale a alternativa incorreta a respeito das PROPRIEDADES ELÉTRICAS DOS METAIS.

A
O aumento da temperatura diminui a condutividade elétrica dos metais.
B
Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum átomo específico (estão livres).
C
Elétrons não preenchem todos os estados possíveis da banda de valência.
D
Não possuem elétrons livres e por este motivo apresentam baixa condutividade elétrica.
E
Defeitos cristalinos diminuem a condutividade elétrica nos metais.
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Dos componentes eletrônicos que surgiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.

Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por \sigma=n \cdot l e l \cdot \mu_e, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 10^{23} átomos por m^{3} de Fósforo, sabendo-se que l e l = 1,6 \cdot 10^{-19} C e \mu_e = 0,14 m^{2}/V.s.

A
11,43 (ohm.m)-1
B
2.000 (ohm.m)-1
C
2.500 (ohm.m)-1
D
1.500 (ohm.m)-1
E
2.240 (ohm.m)-1
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Quanto às propriedades magnéticas da matéria, os materiais se classificam em paramagnéticos e diamagnéticos. O material dito paramagnético é aquele que apresenta uma permeabilidade magnética:

A
De cem a mil vezes maior do que a do vácuo
B
Ligeiramente menor do que a do vácuo
C
Pouco maior do que do vácuo
D
Nula
E
Cerca de mil vezes inferior à do vácuo
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Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 \, m\Omega. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 \times 10^{-6} \, \Omega \cdot cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 \, mm^{2}. Determine o valor do comprimento deste fio.

A
20,15 cm
B
18,27 cm
C
15,26 cm
D
16,24 cm
E
19,12 cm
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Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:
A
Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
B
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
C
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
D
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
E
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
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Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
A
F=m.a
B
V=R.i
C
V=R \frac{i.A}{l}
D
P=U.i
E
V=N.i.E
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