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Uma consequência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:

A
Deformação mecânica do material.
B
Aumento da resistividade elétrica do material.
C
Aumento da aceleração eletrônica.
D
Geração de calor.
E
Diminuição da resistência elétrica do material.
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O que é um sistema em equilíbrio térmico?

A

Um sistema onde a temperatura varia

B

Um sistema onde a temperatura é constante

C

Um sistema que troca calor com o ambiente

D

Um sistema que não troca energia com o ambiente

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O que caracteriza um material semicondutor?

A

Condutividade elétrica alta e constante em qualquer temperatura.

B

Condutividade elétrica nula, ou seja, não conduz eletricidade.

C

Condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes, e que pode ser alterada por diversos fatores.

D

Condutividade elétrica muito alta, superior à dos metais.

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Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.

A
Al +3
B
B +3
C
As +5
D
Ba +2
E
O -2
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Metais e ligas incluem aços, alumínio, magnésio, zinco, ferro fundido, titânio, cobre e níquel. Uma liga é um material que contém pelo menos dois elementos químicos onde pelo menos um é metal. Sobre suas propriedades podemos afirmar:

Assinale a alternativa correta:

I – Possuem boa condutividade térmica e elétrica;

II – Possuem alta resistência ao choque e alta rigidez;

III – São dúcteis;

IV – Sua principal utilidade é como isolante.

A
Todas são verdadeiras;
B
Apenas a I, III e IV são verdadeiras;
C
Apenas a I, II e III são verdadeiras;
D
Apenas a I, II são verdadeiras;
E
Apenas a I é verdadeira.
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Considere um capacitor de placas paralelas, com b5_r igual a 2,5, com d=2,0 ext{ mm} entre as placas. Suponha que outro material com constante dielétrica igual a 10 tenha sido utilizado no lugar do dielétrico anterior, mantendo-se, no entanto, a capacitância inalterada através do ajuste da distância entre as placas. Considerando o contexto anterior, determine o novo valor de "d".

A
1,0 mm.
B
10,0 mm.
C
4,0 mm.
D
8,0 mm.
E
12,0 mm.
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Com relação às características do cromo, assinale a alternativa CORRETA:

A
Alto grau de maleabilidade; resistência à corrosão; não se modifica com o ar; elevada resistividade elétrica; alto coeficiente de reflexão.
B
Alto grau de dureza; não resistente à corrosão; se modifica com o ar; elevada resistividade elétrica; alto coeficiente de reflexão.
C
Alto grau de dureza; resistência à corrosão; se modifica com o ar; elevada resistividade elétrica; baixo coeficiente de reflexão.
D
Alto grau de dureza; resistência à corrosão; não se modifica com o ar; elevada resistividade elétrica; alto coeficiente de reflexão.
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Em muitos processos laboratoriais e industriais, alguns materiais são submetidos a tratamentos térmicos com o propósito de tentar corrigir alguma possível deformação da estrutura cristalina. Esses materiais são submetidos a temperaturas abaixo de seu ponto de fusão durante um determinado intervalo de tempo previamente escolhido. Com isso, a estrutura cristalina, em alguns casos, pode sofrer leves processos de relaxação e contração. O processo de aquecimento e resfriamento é controlado. Tal processo recebe o nome de annealing ou recozimento.

Sobre o exposto, é correto afirmar:

A
As mudanças de fase estruturais não ocorrem abaixo da temperatura de fusão.
B
Todos os materiais sofrem mudanças de fases nos annealings.
C
Alguns materiais apresentam mudança de fase estrutural em temperaturas específicas abaixo da temperatura de fusão.
D
Todos os materiais podem passar por qualquer processo de annealing sem sofrer quaisquer danos drásticos.
E
As mudanças de fase estrutural apenas ocorrem em temperaturas acima da temperatura de fusão.
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Considere um certo espelho esférico côncavo o qual apresenta raio de curvatura igual a 0,10 ext{ m}. A distância focal desse espelho, em centímetros, é igual a:

A
25 cm.
B
150 cm.
C
5 cm.
D
10 cm.
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As indústrias brasileira e mundial realizam trabalhos de mineração e de processamento metalúrgico de diversos materiais para fins tecnológicos. Dentre esses materiais estão alumínio (Al), cobre (Cu), ouro (Au) e prata (Ag). Todos eles apresentam estrutura cúbica de face centrada. Sabendo que o conhecimento das características cristalográficas dos materiais está diretamente associado as suas aplicações diversas, calcule o fator de empacotamento atômico da rede cúbica de face centrada.

Calcule o fator de empacotamento atômico da rede cúbica de face centrada.

A
74%.
B
62%.
C
60%.
D
72%.
E
76%.
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