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Com o osciloscópio podemos medir diretamente a tensão de pico a pico (VPP) e o período (T) e, indiretamente, as tensões de pico (VP) e eficaz (Vef), a frequência (f) e a defasagem (ΔΘ) entre duas tensões.

A
Verdadeiro
B
Falso
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Na representação de linhas de transmissão, o modelo mais adequado depende do comprimento da linha, podendo ser utilizado um circuito equivalente característico para linha curta, média ou longa.
A
Verdadeira
B
Falsa
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Para aumentar esse banco, adicionando o datafile tbs_f04.dbf à tablespace tbs_03, deve-se executar o comando:

A

CREATE TABLESPACE tbs_03 DATAFILE 'tbs_f04.dbf';

B

ALTER TABLESPACE tbs_03 ADD DATAFILE 'tbs_f04.dbf' SIZE 100K;

C

CREATE DATAFILE 'tbs_f04.dbf' ON tbs_03 TABLESPACE;

D

ALTER DATABASE AUTOEXTEND 'tbs_f04.dbf' ON tbs_03;

E

ADD DATAFILE 'tbs_f04.dbf' ON TABLESPACE tbs_03 SIZE 100K;

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Marque a opção que não apresenta uma característica da quarta revolução industrial:
A
Uso intenso de Big Data e Analytics.
B
Adoção do paradigma de fábricas inteligentes.
C
Mudança no perfil dos trabalhadores, de menos capacitados para profissionais mais qualificados.
D
Transformação Digital.
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Para um conversor CC que possui uma carga resistiva de R e uma tensão V_S = 200 ext{ V}, quando a chave do conversor estiver em ON, é produzida uma queda de tensão de V_{ch} = 2 ext{ V}. Para um ciclo de trabalho de 30 ext{%}, a tensão V_{rms} do conversor será de:

A
100 V
B
54,5 V
C
108,45 V.
D
59,4 V.
E
73,67 V
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Os transformadores de dois enrolamentos têm potências idênticas em ambos terminais.
Já os transformadores de três enrolamentos podem ter potências distintas em cada um dos terminais.
Os transformadores de dois enrolamentos são usados em subestações com mais de dois nıv́eis de tensão.
Da mesma forma que nos transformadores de dois enrolamentos, a determinação das impedâncias de dispersão se faz através de ensaios com um dos terminais em curto-circuito.

A
V - V - F - V.
B
V - F - V - F.
C
V - F - F - F.
D
F - F - V - V.
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Assinale a alternativa correta que representa a sequência de fases do sistema trifásico simétrico com sequência de fase negativa CBA.

A
Fase A, fase B, fase C.
B
Fase B, fase C, fase A.
C
Fase C, fase A, fase B.
D
Fase C, fase B, fase A.
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Analisando o circuito seguinte podemos afirmar que a tensão de saída do comparador irá saturar em +V_{cc} quando a tensão de entrada V_a for: Obs.: considerar V_{cc} = 12 ext{ V}.

A
V_a < 6 ext{ V}
B
V_a < 7 ext{ V}
C
V_a > 8 ext{ V}
D
V_a < 7 ext{ V}
E
V_a < 8 ext{ V}
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De acordo com Malvino e Bates (2016, p. 762), “Amplificadores monolíticos de instrumentação, como o AD620, encontram muitas aplicações no campo da instrumentação médica. Um exemplo dessas aplicações são circuitos utilizados para a construção do eletrocardiógrafo (ECG)”. Além disso, sabe-se que, quando nos referimos a amplificadores de instrumentação, é possível mencionar a respeito dos circuitos amplificadores especiais, que também fornecerão as mesmas características desses dispositivos.
Considerando os amplificadores de instrumentação e nossos estudos sobre o assunto, analise as afirmativas a seguir e a relação proposta entre elas. I. Esse tipo de amplificador ou circuito amplificador possui as características de um amplificador diferencial otimizado PORQUE II. nesse caso, é possível obtermos vantagens, como alta impedância de entrada, baixo drift e alta razão de rejeição em modo comum. Agora, assinale a alternativa correta.
A
A afirmativa I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
B
As afirmativas I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
C
As afirmativas I e II são proposições falsas.
D
A afirmativa I é uma proposição verdadeira, e a II é uma proposição falsa.
E
As afirmativas I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.
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No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (TBJ), assinale a alternativa correta.

A

O TBJ é um dispositivo de três camadas, sendo duas camadas de material tipo P e uma camada de material tipo N.

B

O TBJ é um dispositivo de três camadas, sendo duas camadas de material tipo N e uma camada de material tipo P.

C

O TBJ é um dispositivo de duas camadas, sendo uma camada de material tipo P e uma camada de material tipo N.

D

O TBJ é um dispositivo de duas camadas, sendo uma camada de material tipo N e uma camada de material tipo P.

E

O TBJ é um dispositivo de quatro camadas, sendo duas camadas de material tipo P e duas camadas de material tipo N.

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