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Dopagem eletrônica ou simplesmente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
Para esse padrão, os tipos de criptografia, a freqüência e as taxas de transferência de dados permitidas são:
É um dispositivo especial utilizado para o disparo de certos circuitos:
Escolha uma opção:
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:
I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de
São feitas afirmações sobre o TJB. Marque as alterativas que são ERRADAS.
Escolha uma ou mais:
A distorção do sinal de entrada de um amplificador a transistor pode ser causada pela elevada amplitude desse sinal.
O TJB é um dispositivo, que se caracteriza por controlar uma elevada corrente entre emissor-coletor, por meio de uma pequena corrente de base.
Para constituir uma configuração Darlington é necessário conectar em cascata dois transistores sendo um NPN e o outro PNP.
A família de curvas características de saída do TJB apresenta comportamento semelhante a curva característica do diodo.
A configuração Darlington aumenta do ganho de corrente do circuito.
Qual é a fórmula para calcular a energia elétrica EE em um circuito?
Selecione a opção correta quanto a uma aplicação dos controladores CA.