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Com relação aos dispositivos semicondutores, associe os itens, utilizando o código a seguir:
I- Diodos.
II- Tiristores.
III- Transistores.
( ) São chaves eletrônicas não controladas, sendo assim, não utilizam um terminal de disparo.
( ) Podemos classificar em algumas categorias, como BJT, MOSFET, IGBT.
( ) Possui um pino que possui a função de colocar o dispositivo em condução ou em bloqueio, chamado de gatilho.
A figura a seguir ilustra o diagrama unifilar (rede elétrica) de uma companhia de eletricidade com duas subestações de 120 kV, alimentadas por um sistema de transmissão. A impedância em série de cada linha é de
O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base no contexto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica.
II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
III- Os TBJs - do inglês 'tetrapolar junction transistor' são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
Falso ou verdadeiro? A relação de espiras é igual à relação de tensão em um transformador com acoplamento de 100%.
A tensão base-emissor geralmente é:
Considere a descrição a seguir e marque a opção que se relaciona a ela: “Componente que possui dois terminais, anodo e cátodo, a condução da corrente acontece quando a tensão entre anodo e cátodo é maior do que a tensão de polarização direta especificada no datasheet”.
Uma ponte retificadora trifásica recebe em sua entrada uma tensão de linha de
Qual é a fórmula para calcular a eficiência energética η de um dispositivo?