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Um sistema elétrico possui uma potência aparente de
- a) O fator de potência.
- b) O ângulo de defasagem
D5 . - c) A potência reativa.
- d) Desenhe o triângulo das potências.
O transistor é um componente eletrônico semicondutor com várias funções, tais como amplificador de sinal (tensão), comutador de circuitos e amplificador e regulador de corrente. Ele foi inventado na década de 1950 devido a uma necessidade de encontrar um substituto para a válvula eletrônica, que fosse mais barato, menor e consumisse menos energia.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
- ( ) Quando um transistor está no estado totalmente desligado, como um interruptor aberto, diz-se que ele está em corte.
- ( ) Quando o transistor está conduzindo, ou seja, permitindo a passagem de corrente através do coletor, diz-se que está saturado.
- ( ) O transistor é um elemento linear, que trabalha tal como o resistor ideal.
- ( ) Os transistores bipolares precisam estar restritos a esses dois modos extremos de operação: modo em corte e modo saturado.
Em PU, duas grandezas são escolhidas como valores bases e as outras duas são calculadas em relação. Quais são elas?
Existem algumas configurações distintas que são estabelecidas a partir de um terminal comum, amplamente utilizadas para a polarização do TBJ. Um exemplo é a configuração coletor comum, aplicada em casos como o casamento de impedâncias, na qual se faz uso duas fontes de tensão contínuas, uma para a polarização da junção base-coletor e outra para a polarização emissor-coletor.
Assim, considerando seus conhecimentos a respeito das diferentes polarizações para o TBJ, analise as afirmativas a seguir:
- I. É possível tomar como terminal comum o emissor e, nesse caso, tem-se a configuração base comum.
- II. Nesse caso, a corrente no emissor é resultado da soma entre a corrente na base e a corrente no coletor.
- III. Para a obtenção da configuração emissor-coletor, é comum utilizar a configuração coletor comum como base.
- IV. A região de ruptura na configuração emissor comum é caracterizada pelo efeito de avalanche, que resulta no parâmetro aproximado de resistência negativa.
Partindo das informações dadas pelo texto anterior, analise as afirmativas a seguir:
- A combinação de elementos externos ao semicondutor cria faixas de dopagem.
- A dopagem facilita o pulo de elétrons presentes na última camada entre os elementos que constituem uma malha.
- O Gap de energia existente entre as malhas de semicondutores são relacionadas ao elemento de dopagem adicionado e distância entre elementos.
É correto o que se afirma em:
(IFN-MG) Considerando-se os vários tipos de TIRISTORES existentes, associe corretamente os tipos listados abaixo a suas respectivas características.
Considerando o retificador trifásico de onda completa apresentado na imagem a seguir, calcule o valor da frequência de ondulação do sinal aplicado à carga e da máxima tensão reversa em cada diodo. Considere as tensões de fase de entrada:
uma ____________ do método convencional de Newton-Raphson,
levando em consideração uma série de hipóteses simplificadoras. Nestas
hipóteses, o ____________ das tensões pode ser substituído
simplesmente pelo valor do ângulo, e devido à isso o método apresenta
____________ quanto maior o nível de tensão. No entanto, ele não é
aplicável em ____________.
Assinale a alternativa que completa corretamente as lacunas.