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( ) O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
( ) A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do material semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medida que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.
( ) Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os elétrons livres no material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os ı́ons próximos à fronteira dos dois materiais diminuindo a região de depleção.
( ) O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
Existem algumas configurações distintas que são estabelecidas a partir de um terminal comum, amplamente utilizadas para a polarização do TBJ. Um exemplo é a configuração coletor comum, aplicada em casos como o casamento de impedâncias, na qual se faz uso duas fontes de tensão contínuas, uma para a polarização da junção base-coletor e outra para a polarização emissor-coletor.
Assim, considerando seus conhecimentos a respeito das diferentes polarizações para o TBJ, analise as afirmativas a seguir:
- I. É possível tomar como terminal comum o emissor e, nesse caso, tem-se a configuração base comum.
- II. Nesse caso, a corrente no emissor é resultado da soma entre a corrente na base e a corrente no coletor.
- III. Para a obtenção da configuração emissor-coletor, é comum utilizar a configuração coletor comum como base.
- IV. A região de ruptura na configuração emissor comum é caracterizada pelo efeito de avalanche, que resulta no parâmetro aproximado de resistência negativa.
Está correto o que se afirma em:
Qual o estados dos LEDs D1, D2 e D3 ?
Considere:
Dispositivos elétricos funcionam através da aplicação de potenciais elétricos, que lhes permitem obter uma corrente, circulando em seu interior, que lhes permite realizar trabalho. Entre os componentes da rede elétrica, o dispositivo responsável pelo fornecimento da energia é denominado:
Considerando seus conhecimentos a respeito das diferentes polarizações para o TBJ, analise as afirmativas a seguir:
- É possível tomar como terminal comum o emissor e, nesse caso, tem-se a configuração base comum.
- A configuração emissor comum é utilizada em casos como o casamento de impedâncias.
- A configuração coletor comum é aplicada em casos como o casamento de impedâncias, na qual se faz uso duas fontes de tensão contínuas, uma para a polarização da junção base-coletor e outra para a polarização emissor-coletor.
Agora, assinale a alternativa correta:
A estrutura do gradador trifásico esta representada na figura abaixo: Essa estrutura é empregada quando se deseja controlar a potência entregue a uma carga trifásica de corrente alternada. O uso mais comum é o controle de intensidade luminosa.
Analisando a figura da estrutura do gradador trifásico com carga resistiva em Y, podemos afirmar que a defasagem em cada fase será quantos graus? E na figura com formas de onda, o ângulo de disparo representado é de quantos graus?