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O ensaio não destrutivo mais indicado para detecção de descontinuidades superficiais e subsuperficiais em materiais ferromagnéticos é:

A
partículas magnéticas
B
líquido penetrante
C
ultrassom
D
ensaio visual

O fator de transcondutância também pode ser determinado pela derivada de I_D em relação à V_{GS} por meio da equação de Shockley, chegando na seguinte relação:
Supondo que determinado JFET possui corrente I_{DSS} = 120 ext{ mA} e tensão V_P = -2 ext{ V}, assinale a alternativa que indica o valor da transcondutância máxima desse JFET, obtida quando a tensão V_{GS} é igual a -1 ext{ V}.

A
80 mS.
B
50 mS.
C
70 mS.
D
60 mS.
E
90 mS.

Um amplificador (AmpOp) operacional hipotético tem um grande degrau de tensão como tensão de entrada. A tensão de saída tem uma forma de onda exponencial que varia até 0,9 ext{ V} em 0,5 ext{ µs}.
Qual o Slew Rate desse AmpOp?

A
0,6 V/s.
B
1,9 V/µs.
C
1,5 V/µs.
D
0,85 V/µs.

Qual foi o comportamento do circuito 2 (retificador de onda completa)?

A

Os semiciclos positivos do sinal de entrada chegam à carga, já os semiciclos negativos são barrados pelo diodo; Este é o comportamento de um retificador de meia onda.

B

Os semiciclos positivos chegam à carga e os semiciclos negativos são ‘rebatidos’ para que a corrente sempre percorra a carga no mesmo sentido; Este é o comportamento do circuito.

C

Os semiciclos positivos e os semiciclos negativos chegam à carga, porém ambos são rebatidos. Apenas os semiciclos negativos que são rebatidos.

Em uma experiência com o experimento do Diodo Zener, responda:

O que difere os díodos de zener dos diodos regulares?

A
Operam na zona de disrupção.
B
O valor da tensão de disrupção.
C
A corrente de polarização.
D
O valor da tensão de condução.
E
não há diferença significativa entre eles.
Com base nisso, analise o circuito apresentado anteriormente e assinale a alternativa correta quanto ao seu funcionamento.
A
O Q mínimo na configuração é de 1.
B
O ganho de tensão mínimo é zero.
C
A faixa permissível para o ganho de tensão é de 0 até 1.
D
Sendo zero o mínimo de , o ganho máximo é de 1.
E
O ganho de tensão é capaz de produzir maior realimentação.

Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- A classificação máxima de tensão de polarização inversa de um diodo é conhecida como Tensão Inversa de Pico, ou PIV, e pode ser obtida do fabricante.

II- Como a tensão direta, o valor da PIV de um diodo varia de acordo com a temperatura, exceto que a PIV aumenta com o aumento da temperatura e diminui à medida que o diodo se torna mais frio - exatamente o oposto do de tensão direta.

III- Como a tensão inversa, o valor da PIV de um diodo varia de acordo com a temperatura, exceto que a PIV aumenta com o aumento da temperatura e diminui à medida que o diodo se torna mais frio - exatamente o oposto do de tensão direta.

A
Somente a sentença I está correta.
B
As sentenças II e III estão corretas.
C
Somente a sentença II está correta.
D
As sentenças I e II estão corretas.

Questão 8/10 - Instrumentação Eletrônica
No seguinte circuito: Qual o valor da tensão de saída Vo?

A
Maior que Vg
B
Igual a Vg
C
Menor que Vg
D
O dobro de Vg
E
0V

Dentro das termorresistências de precisão, qual a mais usada na indústria?

A

Termistores.

B

Termopares.

C

Nenhuma das alternativas.

D

PT-100.

E

Circuitos integrados sensores de temperatura.

Nos transdutores passivos a energia do sinal é fornecida na sua totalidade pelo sinal de entrada ou pelo meio que gerou esse sinal. Nos transdutores ativos, por sua vez, a energia na saída do transdutor não é proveniente do sinal de entrada.
De acordo com seu conhecimento em classificação de instrumentos segundo a utilização de fontes de energia, assinale a alternativa que apresenta somente instrumentos passivos.

A
Termômetro de mercúrio; régua milimetrada; potenciômetro resistivo.
B
Termômetro de mercúrio; régua milimetrada; válvulas pneumáticas.
C
Termômetro de mercúrio; potenciômetro resistivo; manômetro de tubo em U.
D
Termopar; bombas centrifugas; válvulas pneumáticas.
E
Termômetro de mercúrio; termopar; manômetro de tubo em U.