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Qual o melhor método para detectarmos uma descontinuidade paralela a superfície com 50 mm de profundidade, em uma peça de aço forjado com 100 mm de espessura?
Método da ressonância.
Método pulso-eco utilizando transdutor de ondas superficiais de baixa frequência.
Método pulso-eco utilizando transdutor normal de ondas longitudinais.
Todos os métodos acima.
O circuito a seguir é um típico amplificador de sinal inversor usando Amp-Op em malha fechada com realimentação negativa, é possível determinar o ganho desse circuito facilmente por meio dos resistores externos. Considere que o amplificador do circuito é ideal e
Os comparadores de janela inversores são circuitos que respondem com uma saída positiva quando, na entrada, for aplicada uma tensão que estiver fora de uma faixa especificada.
Em seu circuito, qual componente é responsável por fazer com que a tensão de saída seja zero, caso a tensão de entrada esteja dentro da janela?
A fonte de alimentação simétrica.
Os amplificadores operacionais com saída em coletor aberto.
O resistor de pull-down na saída do circuito.
Os diodos nas saídas dos amplificadores operacionais.
As fontes de tensão responsáveis pelos limites inferiores e superiores.
A região em torno da junção onde se encontram esses íons é chamada de camada de depleção. A passagem de elétrons do lado N para o lado P e de lacunas no sentido contrário é chamada de difusão através da junção.
O Silício era utilizado como base para o mercado de eletrônica mundial, entretanto, devido as suas limitações, um novo grupo de elementos e compostos entrou no foco da tecnologia de semicondutores de banda larga (WBS – wide band semiconductor). Os mais conhecidos são o Carboneto de Silício (Silicon Carbide – SiC), o Nitreto de Gálio (Gallium Nitride – GaN) e o Diamante.
Sobre o exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas:
I- Os semicondutores de banda larga destacam-se porque possuem um melhor rendimento em relação a perdas por comutação, devido a sua rapidez em mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa.
II- A mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa é possível devido a uma menor concentração de portadores intrínsecos, a um maior campo elétrico de ruptura, uma maior condutividade térmica e uma maior velocidade oriunda dos elétrons saturados.
O esquema unifilar abaixo refere-se a um circuito de comando de intensidade de lâmpadas por meio de um dimmer digital e dois pulsadores. Nesse circuito, cada pulsador comanda:
Apesar da semelhança estrutural, existem diferenças consideráveis de projeto entre amplificadores de pequeno e grande. Qual alternativa apresenta uma diferença real entre eles?
Os amplificadores de pequeno sinal são, em geral, amplificadores de tensão, enquanto os amplificadores de grande sinal são amplificadores de potência.
Os amplificadores de grande sinal estão menos sujeitos a cortes do que os amplificadores de pequeno sinal.
Os amplificadores de pequeno sinal trabalham dentro dos limites da reta de carga, enquanto os amplificadores de grande sinal ultrapassam os limites da reta de carga.
Os amplificadores de grande sinal utilizam a reta de carga CA, enquanto os amplificadores de pequeno sinal utilizam a reta de carga CC.
Os amplificadores de pequeno sinal são, em geral, amplificadores de corrente, enquanto os amplificadores de grande sinal são amplificadores de tensão.
Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material do tipo n, ocorrerá um aumento na região de depleção, pois o número de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido à atração pelo polo positivo conectado ao terminal do material do tipo n, de maneira análoga ocorrerá um aumento de lacunas no material do tipo p devido à conexão do polo negativo ao terminal do material do tipo p.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da corrente de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
II- O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta potência.
III- Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da tensão, daí o termo corte.