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Os tiristores possuem quantas camadas? Quais são elas?

A
Apenas uma camada tipo N.
B
Três camadas NPN.
C
Quatro camadas PNPN.
D
Três camadas PNP.
E
Duas camadas PN.

A existência da estrutura cristalina resulta dos sólidos cristalinos serem construídos a partir da repetição no espaço de uma estrutura elementar paralelepipédica denominada célula unitária. Considerando a célula unitária desenhada abaixo para um metal hipotético, marque a opção CORRETA.

A
fator de empacotamento (FEA) de 0,54, portanto, é uma estrutura cristalina.
B
fator de empacotamento (FEA) de 0,68, portanto, é uma estrutura cristalina.
C
fator de empacotamento (FEA) de 0,74, portanto, é uma estrutura cristalina.
D
fator de empacotamento (FEA) de 0,68, portanto, é uma estrutura amorfa.
E
fator de empacotamento (FEA) de 0,74, portanto, é uma estrutura amorfa.

Qual a relação entre os valores dos resistores R3 e R4 para que a expressão da tensão de saída seja igual a V_0 = 2 imes (V_1 + V_2) Considere: R_1 = R_2.

A
R_4 = 3 imes R_3
B
R_4 = R_3
C
R_4 = \frac{R_3}{3}
D
R_4 = 2 imes R_3
E
R_4 = -3 imes R_3

Considerando as informações apresentadas, analise as afirmativas a seguir:

I. A saída de um amplificador somador inversor é de 7V. Suas entradas são V_1=-5V, V_2=+4V e V_3=-6V.

II. A saída de um amplificador somador não inversor é de 7V. Suas entradas são V_1=-5V, V_2=+4V e V_3=+6V.

III. O sinal de saída será de V_o=-3V, considerando um amplificador somador inversor com entradas de V_1=12V, V_2=15V e V_3=-30V.

IV. O sinal de saída será de V_o=3V, considerando um amplificador somador inversor com entradas de V_1=12V, V_2=15V e V_3=-30V.

É correto o que se afirma em:

A
A II e III, apenas.
B
I e IV, apenas.
C
III e IV, apenas.
D
I, II e III, apenas.

Independente do processo de fabricação, o aço sempre apresenta inclusões classificadas como não metálicas decorrentes dos processos de fabricação ou de desoxidação. As principais inclusões dessa natureza são:

A
Hidrogênio, carepa e óxido.
B
Óxidos, silicatos, sulfetos e alumina.
C
Tungstênio e escória.
D
Areia, hélio e argônio.

Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.
A afirmação é verdadeira ou falsa?

A
Verdadeiro
B
Falso

Em uma experiência com o Diodo Zener, considere que a saída de uma fonte tenha uma tensão que varie de 27V a 30V, e quero alimentar uma carga que necessita de uma tensão de 12V e uma corrente de 20mA. Determine o Zener e o resistor necessário para esta situação.

A
Zener de 12V e resistor maior que 480Ω e menor que 650Ω;
B
Zener de 15V e resistor entre 82Ω e 130Ω;
C
Zener de 20V e resistor maior que 82Ω e menor que 130Ω;
D
Zener de 12V e resistor maior que 82Ω e menor que 130Ω;
E
Zener de 12V e resistor maior ou igual a 130Ω.

Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas:

  • Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente
  • Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura
  • Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão
  • Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura
  • Dissipação máxima de tensão, em condição específica de temperatura
  • Níveis de capacitância
  • Tempo de recuperação reversa
  • Faixa de temperatura de operação

Qual das opções abaixo representa corretamente os dados necessários?

A
Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
B
Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
C
Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
D
Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.

Um diodo possui diversos modelos que são utilizados para descrever o seu comportamento. Qual é o valor da resistência de um diodo ideal na região de condução quando percorrido por uma corrente de 20 ext{ mA}?

A
0,7 ext{ } ext{Ω}
B
0 ext{ } ext{Ω}
C
1 ext{ kΩ}
D
Indefinido
E
Infinito

Com a mesma tensão do secundário e mesmo filtro, que retificador apresenta maior valor de ondulação?

A
Retificador de meia onda.
B
Retificador de onda completa.
C
Retificador em ponte.
D
Retificador em ponte e de meia onda.
E
Impossível responder.