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Similarmente ao que ocorre em análises de circuitos com diodos, para obter a relação de operação adequada no uso de TBJs, utiliza-se, também, a análise pela reta de carga. Assim, para tanto, considera-se as diferentes curvas características, mediante valores da tensão na junção com a corrente de saída, em função da corrente de entrada do circuito de polarização. Dessa forma, com base em nossos estudos sobre a análise da reta de carga, analise as afirmativas a seguir e a relação proposta entre elas.
I. O ponto Q normalmente é tomado próximo às extremidades da reta de carga traçada
II. A reta de carga é tomada do valor da corrente máxima ( no caso de fonte no coletor) até o valor da tensão aplicada.
Com o osciloscópio podemos medir diretamente a tensão de pico a pico (VPP) e o período (T) e, indiretamente, as tensões de pico (VP) e eficaz (Vef), a frequência (f) e a defasagem (ΔΘ) entre duas tensões.
Hoje existem vários diferentes tipos de transistores. Os modelos mais antigos ainda são usados e são, geralmente, comercializados em embalagens plásticas ou metálicas de três terminais. Chegam a custar em torno de 10 centavos. Os modelos mais novos custam em torno de 20 centavos a 11 reais. No entanto, nos equipamentos eletrônicos modernos, como smartphones e computadores, transistores existem aos bilhões dentro dos chips ou circuitos integrados. Consomem pouquíssima corrente e são minúsculos, da ordem de milésimos de milímetro. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
Considerando que a tensão de barreira dos diodos de junção PN apresentados na figura possuem uma amplitude de 0,7V, qual será a amplitude mínima da tensão da fonte VS para que exista corrente elétrica circulando sobre o resistor R?
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta:
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
Assinale a alternativa incorreta sobre a aminotransferase:
Analisando o circuito seguinte podemos afirmar que a tensão de saída do comparador irá saturar em +
Considerando os amplificadores de instrumentação e nossos estudos sobre o assunto, analise as afirmativas a seguir e a relação proposta entre elas. I. Esse tipo de amplificador ou circuito amplificador possui as características de um amplificador diferencial otimizado PORQUE II. nesse caso, é possível obtermos vantagens, como alta impedância de entrada, baixo drift e alta razão de rejeição em modo comum. Agora, assinale a alternativa correta.
Um determinado circuito amplifica o sinal aplicado em sua entrada cem vezes (