Questões

O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 milhões de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização além de aplicações em alta potência e alta frequência.

Com base no exposto, assinale a alternativa:

Para o circuito a seguir:
Determine qual o valor da tensão V_{DS} quando V_{GS} = 0V e V_{GS} = 5V.

Exercício de Fixação - Capacitância e capacitores: Revisão da tentativa - Mozilla Firefox Certificação Técnica Questao Você precisa de uma capacitância de C ext{ total} mas não dispõe de um capacitor de C ext{ disponível}. Você possui um capacitor Incorreto de 75 ext{ } ext{μF}. Atingiu 0,0 de C ext{ atingido} a) Você ligaria os dois capacitores em paralelo ou em série? 2,0 b) De que capacitor adicional você precisa para produzir a capacitância total de P? Marcar questão Escolha uma opção:

Calcule a tensão de saída deste amplificador somador de três entradas: Considere V_1= - 2V, V_2= +3V, V_3= +1V e as resistências R_1= 200K\Omega, R_2= 500K\Omega, R_3= 1M\Omega, R_f=1M\Omega. Com base no exposto, assinale a alternativa:

É possível implementar, assim como para os JFETs ou MOSFETs, no modo de depleção, a polarização na região ôhmica. Nesse caso, sabe-se que a corrente no dreno, na saturação, é resultado da razão entre a tensão contínua aplicada ao dreno ( V_{D} ) sobre a resistência utilizada junto com o dreno ( R_{D} ).

Assim, com base nisso e em nossos estudos a respeito do funcionamento dos MOSFETs no modo de crescimento, analise as afirmativas a seguir e marque V para as verdadeiras e F para as falsas.

1. ( ) Para efetuar a polarização na região ôhmica, estabelece-se a corrente de saturação menor do que a corrente no dreno ligado.
2. ( ) Quando V_{GS} > V_{TH}, tem-se uma possível condição para que o dispositivo opere na região ôhmica.
3. ( ) Na região ôhmica, o MOSFET no modo de crescimento é equivalente à uma grande impedância.
4. ( ) O MOSFET-E pode estar associado à ligação de um motor de corrente contínua, com um relé.

Considerando a função f(x) = 2x^2 + x - 15, levando em consideração as raízes iniciais x_0 = 1.400 e x_1 = 1.900 e o critério de parada K_2, ou seja, desenvolva K_0, K_1 e K_2. Aplique o método da secante para encontrar o resultado, levando em consideração 3 dígitos significativos.

Filtros Ativos de Primeira Ordem

Qual é uma limitação de filtros de primeira ordem em termos de flexibilidade?

Com base na figura anterior, é possível observar o porquê de haver um curto-circuito, idealmente, a ser considerado na análise de um circuito elétrico ou eletrônico com amplificadores operacionais. Similarmente, como não há circulação de corrente na entrada do dispositivo, considera-se idealmente que há um aterramento. Os dois conceitos são o terra virtual e o curto-circuito virtual, utilizados para se entender e projetar amplificadores.

I. ( ) As correntes e são nulas.

II. ( ) A tensão é nula.

III. ( ) A resistência é nula.

IV. ( ) A corrente é nula.