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Determine o valor da tensão de saída do circuito da figura a seguir. Considere os resistores: R_f = 470 ext{k}\Omega; R_1 = 4,3 ext{k}\Omega; R_2 = 33 ext{k}\Omega e R_3 = 33 ext{k}\Omega.

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Analisando o circuito seguinte podemos afirmar que a tensão de saída do comparador irá saturar em +V_{cc} quando a tensão de entrada V_{a} for: Obs.: considerar V_{cc} = 12 V.
Qual a condição para a saturação da tensão de saída?

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O diodo é o mais simples dos semicondutores. Ele permite que a corrente flua em uma das direções mas impede que flua na outra, isso devido à junção cristais dopados de silício N (cátodo) e P (ânodo).
Com base no exposto, assinale a alternativa:

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Está correto o que se afirma em:
I. Na configuração emissor comum, a tensão de entrada é aplicada entre a base e o emissor.
II. Nesse caso, a corrente no emissor é resultado da soma entre a corrente na base e a corrente no coletor.
III. Para a obtenção da configuração emissor-coletor, é comum utilizar a configuração coletor comum como base.
IV. A região de ruptura na configuração emissor comum é caracterizada pelo efeito de avalanche, que resulta no parâmetro aproximado de resistência negativa.
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Considerando R_1 = 120k, R_2 = 240k, v_o(t) = -8 \, ext{sen}(t) \, (V) Encontre a expressão da tensão de entrada v_i(t)

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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1 °C.

( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é 'Is dobrar a cada aumento de 10 °C', se a variação de temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento.

( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).

( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

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Sobre a estrutura atômica é incorreto afirmar que:

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O circuito apresentado a seguir traz um exemplo real de como é possível — embora existam outras possibilidades — calcular a derivada de dado sinal a partir de um circuito amplificador, desenvolvido com um amplificador operacional de uso geral, como o LM 741 ou o LM 351. Note que, nesse caso, inserimos outro elemento para além das cargas resistivas: o capacitor, que possui a capacitância genérica C.

Nesse contexto, com base nas informações expostas e na figura, analise as afirmativas a seguir e marque V para as verdadeiras e F para as falsas.

  • I. ( ) Analisando o ponto, tem-se a relação matemática.
  • II. ( ) A tensão de saída pode ser calculada como diretamente dependente da realimentação.
  • III. ( ) O circuito é uma das formas de fornecer mais estabilidade para a saída necessária.
  • IV. ( ) Uma configuração mais estável, nesse caso, poderia utilizar um resistor adicional em paralelo com o capacitor.
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Calcular o valor de R_2 para que o circuito amplificador inversor exibido na figura seguinte tenha um ganho de tensão igual a três (A_v = -3). Adotar R_1 = 1k?
Qual o valor de R_2?

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Qual dos seguintes eventos é um exemplo de descolonização?

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