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O resultado das medições de um multímetro é exibido na Tabela 1.
Determinar a média e o erro sistemático de um voltímetro, a partir de dez medições realizadas em uma fonte de tensão padrão com valor verdadeiro conhecido igual 12 ext{V}.

A
Média=12,00 ext{ V}, E.S.=0,02 ext{V}
B
Média=12,01 ext{ V}, E.S.=0,02 ext{V}
C
Média=12,02 ext{ V}, E.S.=0,03 ext{V}
D
Média=12,02 ext{ V}, E.S.=0,02 ext{V}
E
Média=12,03 ext{ V}, E.S.=0,03 ext{V}
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Com base no exposto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Nas frequências que nos interessam, a maioria dos resistores podem ser considerados ideais, exceto talvez alguns resistores de pequeno valor nominal, R, nas frequências mais altas. ( ) Os elementos essenciais de circuitos de corrente alternada (c.a.) são os Geradores de c.a. e elementos passivos e lineares que são uma combinação de Resistores, Capacitores ou Indutores em série ou em paralelo. ( ) Nos circuitos de c.a. alimentados por um único gerador ideal as correntes reais que passam pelos diferentes elementos são senoidais. ( ) Nos circuitos de c.a. alimentados por um único gerador ideal as correntes reais que passam pelos diferentes elementos são constantes.
A
V, V, F, F
B
F, V, V, F
C
V, F, V, F
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O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).

A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do material semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medida que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.

Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os elétrons livres no material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os íons próximos à fronteira dos dois materiais diminuindo a região de depleção.

O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

A
V - F - V - F.
B
F - V - V - F.
C
F - V - F - V.
D
V - V - F - F.
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Agora, assinale a alternativa correta.
A
As afirmativas I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
B
A afirmativa I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
C
A afirmativa I é uma proposição verdadeira, e a II é uma proposição falsa.
D
As afirmativas I e II são proposições falsas.
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Assinale a alternativa CORRETA:

A

Somente a sentença II está correta.

B

As sentenças I e II estão corretas.

C

As sentenças I e III estão corretas.

D

As sentenças II e III estão corretas.

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Dada a matriz B B=∣∣∣∣2−43−25−432−2∣∣∣∣|2−23−4523−4−2| encontre a matriz inversa de B e assinale a alternativa correta:
A
N.D.A
B
B−1=32∣∣∣∣−2−21−16−130−19−16−2∣∣∣∣B−1=32|−2−16−19−2−13−1610−2|
C
B−1=16∣∣∣∣−2−21−16−132−19−16−2∣∣∣∣B−1=16|−2−16−19−2−13−1612−2|
D
B−1=23∣∣∣∣−2−2−1−1613219−16−2∣∣∣∣B−1=23|−2−1619−213−16−12−2|
E
B−1=13∣∣∣∣−2−21−16−132−19−162∣∣∣∣B−1=13|−2−16−19−2−13−16122|
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Seja um FET cujas especificações são: I_{DSS} = 10 \, mA e V_{GS} = -2 \, V e que foi submetido a uma tensão V_{GS} = - 1,6 \, V. Determine a g_m do dispositivo.
A
10
B
5,7
C
5
D
1 ms
E
2
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Agora, assinale a alternativa com a sequência correta.

I- ( ) A realimentação é uma das formas de fornecer mais estabilidade para a saída necessária.

II- ( ) Uma configuração mais estável, nesse caso, poderia utilizar um resistor adicional em paralelo com o capacitor.

A
F, F, V, V.
B
V, F, V, F.
C
F, V, V, V.
D
V, F, F, F.
E
V, V, F, F.
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Ao determinar que um retificador será empregado, uma das principais preocupações que você, como engenheiro projetista, deverá ter é como a operação de uma carga influenciará na operação como um todo. Para uma carga do tipo RLC, quais informações devem ser assumidas pelo projetista e como o capacitor influencia no circuito e na oscilação da tensão?

A
Não há nenhum efeito perceptivo, pois o circuito RLC não é adequado para um retificador monofásico a diodo.
B
O comportamento do circuito refere-se ao de um filtro passa-faixa.
C
A carga RLC deve ser analisada adequadamente; o comportamento de cada componente influenciará nos perfis de tensão e corrente.
D
Não há nenhum tipo particular de comportamento, a menos que seja instada uma resistência variável.
E
O comportamento do circuito é de um filtro passa-baixa.
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Analise as afirmativas e classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) O material do tipo p é formado pela dopagem de um cristal puro de silício ou germânio com átomos de impureza que possuem cinco elétrons na camada de valência. ( ) Em um material do tipo n, as lacunas são chamadas de portadores majoritários e os elétrons livres são chamados de portadores minoritários. ( ) Um material semicondutor que tenha passado pelo processo de dopagem é chamado de material intrínseco. ( ) O germânio é o material mais utilizado como matéria-prima base na construção de dispositivos eletrônicos. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A
( ) V – V – V – V.
B
(X) F – F – F – F.
C
( ) V – V – F – F.
D
( ) F – V – F – V.
E
( ) V – F – V – F.
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