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( ) A primeira forma de onda apresenta a tensão de alimentação com as características senoidais de amplitudes e frequência.
( ) Na segunda forma de onda é apresentada a tensão sobre a carga, observe que devido à característica bidirecional do SCR, é possível apresentar cada semiciclo de forma independente.
( ) Na terceira forma de onda observa-se o pulso no gatilho. Ele ocorre de maneira rápida e sem continuidade, mas na mesma frequência da rede, garantindo assim que sempre ele ocorra no mesmo ponto de operação.
( ) No segundo gráfico é possível observar que o semiciclo positivo é controlado através do gatilho, nesse caso, com ângulo de disparo
( ) O traçado em azul apresenta a relação de disparo, com início do bloqueio do SCR e ponto de referência na tensão de entrada.
I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materiais n e p (camada de depleção) é uma região escassa de portadores livres.
III- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um exemplo típico é o carbono (C) que dependendo da forma que se liga pode ser tornar um material isolante como um material condutor.
II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo grande dureza e se trata de um material isolante.
III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é um isolante.
Assinale a alternativa CORRETA:
O circuito Schmitt Trigger, apresentado na Figura 1, pode ser utilizado para converter uma forma de onda senoidal em uma forma de onda quadrada graças à sua curva de histerese.
Supondo
O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain).
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
Para o circuito da figura, considerando a segunda aproximação do diodo, determine o valor aproximado da tensão da fonte
Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Algo importante a ser lembrado é que é possível exceder a tensão de ruptura do diodo sem que obrigatoriamente o danifique, de modo que enquanto o produto da corrente reversa pela potência reversa não for maior que a faixa de potência do diodo.
( ) Chamamos de tensão de pico ou tensão de pico reversa o potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar na região de saturação.
( ) Sabemos que a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo quando o mesmo está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação.
( ) Podemos perceber que à medida que a temperatura aumentar, ocorrerá um aumento no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas diminuindo a barreira de potencial na junção.
Observe o circuito da figura. Nele foi feita uma montagem com cinco lâmpadas incandescentes iguais (L1 ,L2 ,L3 , L4 e L5 ), ligadas a uma fonte de alimentação de 127 V. Considerando o esquema de montagem com as lâmpadas, avalie as seguintes asserções e a relação proposta entre elas.
I. No circuito em questão, as lâmpadas L1 ,L2 , L3 e L4 estarão acesas com os mesmos brilhos, e a lâmpada L5 estará apagada. PORQUE
II. Sendo as lâmpadas todas iguais, a montagem do circuito refere-se a uma ponte de Wheatstone em equilíbrio, com isso, nenhuma corrente percorre a lâmpada L5.