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Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por: ho = rac{W imes A}{l} v = rac{s}{t} v = E imes u_e V = N imes i imes |I_p| imes u_h V = R imes i

Materiais cristalinos apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica.
A velocidade de deslocamento é utilizada para descrever a velocidade desenvolvida pelos elétrons em um condutor.
A velocidade de deslocamento é dada por V = R imes i.
A
Apenas a afirmativa I é verdadeira.
B
Apenas a afirmativa II é verdadeira.
C
Apenas a afirmativa III é verdadeira.
D
As afirmativas I e II são verdadeiras.
E
As afirmativas II e III são verdadeiras.
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O que é uma junção PN?

A

A união de dois materiais semicondutores do mesmo tipo.

B

A união de um material semicondutor com um material isolante.

C

A união de um material semicondutor tipo N com um material semicondutor tipo P.

D

A união de um material semicondutor com um metal.

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O sistema mostra a conversão de energia luminosa em energia elétrica, utilizando um sistema de:

A

Pastilhas de urânio para uso nuclear.

B

Solar térmica com direcionamento de raios solares.

C

Aquecimento solar por condução térmica.

D

Células fotovoltaicas.

E

Mini-gerção eólica.

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Sabendo que um fio de cobre com 1,5 ext{ mm}^2 está ligando duas lâmpadas em 220 ext{ volts} a uma distância de 220 ext{ cm}, determine a resistência máxima imposta pelo cabo, sabendo que sua resistividade é de 0,17 ext{ n} ext{Ω}^{-1} ext{.m} a uma temperatura de 25 ext{ ºC}.

A
4,15 imes 10^{-3} ext{Ω}.
B
2,49 imes 10^{-2} ext{Ω}.
C
2,20 imes 10^{-3} ext{Ω}.
D
2,15 imes 10^{-2} ext{Ω}.
E
4,26 imes 10^{-3} ext{Ω}.
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Baseado nas informações sobre semicondutores de Silício do tipo -p, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Alumínio no processo de dopagem.
A
As+5
B
Ba+2
C
O-2
D
B+3
E
Na+
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Com relação a este tipo de substância, podemos dizer que:

A
As substâncias que apresentam as propriedades descritas anteriormente não podem apresentar simultaneamente propriedades ferroelétricas.
B
Este comportamento pode ser aprimorado por meio do aquecimento acima da temperatura de Curie da substância, seguido de resfriamento até temperaturas criogênicas.
C
Geralmente as substâncias que apresentam o comportamento descrito são diamagnéticas ou paramagnéticas.
D
Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria.
E
Com o tempo e uso contínuo, alguns cristais que possuem estas propriedades apresentam a perda de intensidade na manifestação das mesmas.
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O que é um diodo?

A

Um componente eletrônico que permite a passagem da corrente elétrica nos dois sentidos.

B

Um componente eletrônico que permite a passagem da corrente elétrica em apenas um sentido.

C

Um componente eletrônico que amplifica o sinal elétrico.

D

Um componente eletrônico que armazena energia elétrica.

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Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. Com relação a estes materiais, podemos afirmar:

A
São denominados ferrimagnéticos.
B
São denominados paramagnéticos.
C
São denominados diaelétricos.
D
São denominados ferromagnéticos.
E
São denominados ferroelétricos.
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Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:

A
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20 \, m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
B
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de "impurezas" de difícil execução denominadas dopagem.
C
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
D
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
E
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
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Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória.

Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:

A
Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
B
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
C
Silício, Ferro, água pura salgada.
D
Madeira, borracha, vidro e isopor.
E
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
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