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Em relação ao laser, assinale a alternativa correta.

A

No interior do laser, apresenta um cristal, no qual é atingido por uma luz em um determinado comprimento de onda. Parte da luz é transformada em calor e em fótons. Esses fótons são refletidos por meio de espelhos no interior da cavidade. Saindo assim um feixe de colimado e monocromático.

B

No interior do laser, apresenta um cristal, no qual é atingido por uma luz em um determinado comprimento de onda. Parte da luz é transformada em calor e em fótons. Esses fótons são refletidos por meio de placas de plástico no interior da cavidade. Saindo assim um feixe de colimado e multicolor.

C

No interior do laser, apresenta um papel, no qual é atingido por uma luz em um determinado comprimento de onda. Parte da luz é transformada em calor e em fótons. Esses fótons são refletidos por meio de espelhos no interior da cavidade. Saindo assim um feixe de colimado e monocromático.

D

No interior do laser, apresenta um cristal, no qual é atingido por uma luz em um determinado comprimento de onda. Parte da luz é transformada apenas em calor. Esse calor é refletido por meio de espelhos no interior da cavidade. Saindo assim um feixe de colimado e monocromático.

E

No interior do laser, apresenta um cristal, no qual é dissipado por uma luz em um determinado comprimento de onda. Parte da luz é transformada em calor e em fótons. Esses fótons são refletidos por meio de espelhos no interior da cavidade. Saindo assim um feixe de colimado e monocromático.

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Os semicondutores extrínsecos são aqueles obtidos por dopagem (adição de impurezas em elementos semicondutores puros, como o silício ou o germânio, para controlar as características elétricas do semicondutor). Conforme o tipo de dopagem, o semicondutor pode ser do tipo n (negativo) ou do tipo p (positivo).

Assinale a alternativa com o que se deve fazer para obter um semicondutor do tipo n (negativo):

A
adicionar ao cristal de silício ou germânio impurezas pentavalentes (elementos da família 5A, como fósforo e arsênio).
B
adicionar ao cristal de silício ou germânio impurezas trivalentes (elementos da família 3A, como índio e gálio).
C
adicionar ao cristal de silício ou germânio impurezas tetravalentes (elementos da família 4A, como silício e germânio).
D
adicionar ao cristal de silício ou germânio impurezas pentavalentes (elementos da família 5A, como fósforo e arsênio) e impurezas trivalentes (elementos da família 3A, como índio e gálio).
E
não é necessário dopagem.
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Supondo dois condutores elétricos, separados por um meio dielétrico (ar): se a diferença de potencial ao redor das superfícies for muito grande, surgirá um campo elétrico que fará com que o gás ou ar entre os condutores seja ionizado.
Esse fenômeno é conhecido como:
A
Efeito Corona
B
Arco Fotovoltaico
C
Rigidez Dielétricas
D
Efeito Eletrico
E
Diferença de Potencial
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A deformação plástica resultante da aplicação de uma força constante em um determinado tempo, abaixo do limite do escoamento. Qual propriedade estamos nos referindo:

A
Dureza.
B
Fluência.
C
Tenacidade.
D
Plasticidade.
E
Ductilidade.
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Autores como Askeland e Callister denominaram uma forma simples, objetiva e bem definida para esse desenvolvimento, sendo o “Tetraedro da Ciência e Engenharia de Materiais”, como uma forma estruturada para se elaborar, projetar e fabricar os materiais, independentemente de sua natureza. Conforme ilustrado abaixo:
I – O Tetraedro é aplicado somente à família dos materiais metálicos, pois, são usados na construção de equipamentos, máquinas e são os mais resistentes.
II - A indústria automotiva e a indústria de construção de máquinas pesadas trabalham de forma bem alinhada aos seus fornecedores, normalmente as indústrias siderúrgicas, metalúrgicas e metal mecânicas (conhecidas também como autopeças).
A
A asserção I é falsa e a II, verdadeira.
B
As asserções I e II são verdadeiras e a II justifica a I.
C
As asserções I e II são falsas.
D
A asserção I é falsa, se a II, for falsa.
E
As asserções I e II são verdadeiras, mas a II não justifica a I.
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Considerando as propriedades mecânicas dos materiais: I- Capacidade do material em absorver energia após impacto da carga aplicada; II- Corresponde à resistência de um material a uma deformação local; III- Deformação permanente em uma situação de elevada temperatura sendo material submetido a uma carga constante por um período de tempo prolongado. Analise as proposições e assinale a alternativa correspondente conforme as definições das propriedades:
A
Fluência, tenacidade e dureza
B
Tenacidade, dureza e fluência
C
Dureza, tenacidade e fluência
D
Dureza, fluência e tenacidade
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Considerando as informações fornecidas e o conteúdo estudado sobre resistência elétrica e resistividade, pode-se afirmar que a resistência de um fio de cobre, cujo comprimento é 30 m e diâmetro é 2,05 mm, é:

A
R = 0.125 \, \Omega
B
R = 1.5 \times 10^{-7} \, \Omega
C
R = 1.8 \times 10^{-9} \, \Omega
D
R = 154 \, \Omega
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Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicondutores. Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:

A
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
B
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
C
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
D
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
E
Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
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Nesse sentido qual é a faixa de valor mortal de corrente elétrica para o ser humano?

A
10mA a 3A
B
10 Hz a 100Hz
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Dentre os elementos citados abaixo, qual faz parte dos semicondutores?

A
GaAs, H e Fe.
B
Ge, O e Si.
C
S, O e Si.
D
Ge, Si e GaAs.
E
Ag, W e B.
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