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Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As^{+5}, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si^{+4}, promovemos o surgimento de 'buracos' na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.

A
Ge+5
B
P+5
C
Na+
D
O-2
E
Be+2
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Qual a importância da funcionalização de nanofios semicondutores?

A

Aumentar a reatividade das partículas.

B

Melhorar a solubilidade e biocompatibilidade das partículas.

C

Diminuir a área superficial das partículas.

D

Tornar as partículas mais densas.

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Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 \times 10^{-6} \Omega \cdot \text{cm} na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 \text{ mm}^{2}.

A
1,11 ohms
B
2,22 ohms
C
0,99 ohms
D
3,33 ohms
E
4,44 ohms
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Qual a importância da supercondutividade em nanoescala para o futuro da tecnologia?

A

Permite a criação de dispositivos eletrônicos mais rápidos e eficientes, além de novas tecnologias como computação quântica.

B

Não possui aplicações práticas.

C

É utilizada apenas em pesquisa básica.

D

É uma tecnologia muito cara e inviável para aplicações comerciais.

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Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por: ho = rac{W imes A}{l} v = rac{s}{t} v = E imes u_e V = N imes i imes |I_p| imes u_h V = R imes i

Materiais cristalinos apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica.
A velocidade de deslocamento é utilizada para descrever a velocidade desenvolvida pelos elétrons em um condutor.
A velocidade de deslocamento é dada por V = R imes i.
A
Apenas a afirmativa I é verdadeira.
B
Apenas a afirmativa II é verdadeira.
C
Apenas a afirmativa III é verdadeira.
D
As afirmativas I e II são verdadeiras.
E
As afirmativas II e III são verdadeiras.
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A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre. Podemos afirmar que:
A
Na frequência média de 0,85 BC, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
B
Na frequência média de 1,55 BC, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
C
Na frequência média de 0,85 BC, há atenuação média do sinal equivalente a 0,3.
D
Na frequência média de 1,3 BC, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
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Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de propriedade, NÃO podemos afirmar:

A
Materiais ferroelétricos são materiais que possuem a capacidade de formação natural de dipolos elétricos, apresentando magnetização permanente.
B
O titanato de bário é o exemplo de um material ferroelétrico, que pode ser utilizado como material dielétrico em capacitores.
C
Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
D
Os materiais ferroelétricos possuem alto custo, limitando o seu uso em Engenharia.
E
O carbeto de silício é um exemplo de material transdutor muito utilizado em microfones.
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O que é uma junção PN?

A

A união de dois materiais semicondutores do mesmo tipo.

B

A união de um material semicondutor com um material isolante.

C

A união de um material semicondutor tipo N com um material semicondutor tipo P.

D

A união de um material semicondutor com um metal.

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A partir dessas informações analise as afirmacoes abaixo:
I - Uma aplicação muito comum para o diodo é como retificador de tensão;
II - O diodo Zener pode ser usado como regulador de tensão;
III - Dependendo da composição interna, o diodo tem a capacidade de emitir luz.
A
Somente as afirmações I e II estão corretas.
B
Somente as afirmações II e III estão corretas.
C
Somente as afirmações I e III estão corretas.
D
Todas as afirmações estão corretas.
E
Nenhuma afirmação está correta.
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