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Radiação eletromagnética é a definição dada à ondas que se propagam no vácuo ou no ar com velocidade de 300.000 km/s, que também é a velocidade com a qual a luz se propaga (a luz também é uma radiação eletromagnética). Sobre esse assunto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) A radiação é uma onda composta por componentes elétricos e magnéticos, perpendiculares entre si.

( ) Entre os exemplos de radiação eletromagnética podemos citar a luz, o calor, ondas de rádio, raios-x etc.

( ) Cada radiação é caracterizada pelo intervalo de comprimento de onda em que está inserida e pela forma como foi gerada.

( ) A luz visível ocupa uma pequena faixa do espectro eletromagnético e está inserida entre os comprimentos de onda de 0,1 ext{ µm} até 0,7 ext{ µm}.

A
F - V - V - V.
B
V - V - F - V.
C
V - V - V - F.
D
V - F - V - V.
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A respeito dos raios x, considere as afirmativas abaixo:

  1. Os raios x são extremamente importantes a fim de desenvolver novos materiais já que, a partir dessa técnica, é possível obter a distância inter-atômica e os parâmetros de rede.
  2. A difração ocorre sempre que uma onda encontra um obstáculo, que, por sua vez, dispersa a onda, quando o espaçamento da onda e do obstáculo são da mesma ordem, esse fenômeno pode nos dar características importantes da matéria.
  3. A difração ocorre sempre que uma onda encontra um obstáculo, que, por sua vez, dispersa a onda, quando o espaçamento da onda e do obstáculo estão diferentes, temos o fenômeno da refração.
A
I e III
B
N.D.A
C
III
D
I
E
II
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Um diodo, composto por uma junção pn, pode ser polarizado de duas formas durante a sua ligação em um circuito eletrônico.
Qual alternativa apresenta as formas de ligação possíveis?

A
Polarização térmica e atípica.
B
Polarização irreversível e reversível.
C
Polarização reversa e indireta.
D
Polarização reversa e direta.
E
Polarização térmica e antimétrica.
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A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 ext{ km} de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 ext{ mm}^2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20^ ext{o}C e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7 imes 10^{-8} ext{ Ω.m}, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80^ ext{o}C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9 imes 10^{-3} ext{ °C}^{-1})?

A
6,8 Ω
B
4,35 Ω
C
4,19 Ω
D
3,89 Ω
E
3,4 Ω
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As indicações observadas no ensaio por partículas magnéticas, são causadas quando as partículas ferromagnéticas se aglomeram, no seguinte caso:

A

na existência de um desvio das linhas de campo magnético, na região da descontinuidade superficial ou subsuperficial.

B

na existência de uma descontinuidade interna

C

na existência de descontinuidades abertas para a superfície.

D

todas as alternativas são corretas

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Sobre o ensaio de difração de raios-X (DRX), é correto afirmar:

A
O ensaio pode ser utilizado na caracterização de um material amorfo, desde que este apresente uma estrutura ordenada de longo alcance.
B
O espaçamento entre os picos corresponde a uma medida direta do espaçamento entre os átomos na estrutura cristalina.
C
A análise de um material A, semicristalino, quando comparada a uma segunda análise do mesmo material A, porém, cristalino, apresentará picos característicos com maior intensidade.
D
Através do referido ensaio, é possível caracterizar diversos tipos de materiais cristalinos e semicristalinos.
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A platina é um metal de transição muito utilizado em equipamentos laboratoriais, em contatos eletrônicos, em implantes médicos variados, em compostos magnéticos e na indústria de joias. Esse material passa por muitos processos de controle de qualidade desde sua obtenção e até um produto final, dentre eles, o controle e a verificação de sua estrutura cristalina.

Determine o ângulo de difração aproximado esperado para a reflexão de primeira ordem da platina, quando é utilizada uma radiação monocromática com comprimento de onda de 0,1542 ext{ nm}. Considere a distância interplanar de 0,1183 ext{ nm}:

A
80,69°.
B
30,59°.
C
45,38°.
D
39,69°.
E
81,38°.
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O processo de dopagem pode ser descrito como:

A

A dopagem corresponde à inserção de átomos estranhos impurezas em uma matriz semicondutora intrínseca.

B

A adição de certos átomos estranhos aos átomos de silício ou germânio (valendo apenas para estes elementos), chamados de átomos de impurezas.

C

dopagem corresponde à inserção de átomos estranhos impurezas em uma matriz semicondutora extrínseca.

D

A dopagem ocorre pelo processo de oxirredução do Silício ou germânio.

E

A dopagem ocorre pelo processo de oxirredução do Silício ou germânio ou ainda dos elementos das famílias AIII e AIV.

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Profissionais que trabalham com análise de circuitos usam softwares para fazer simulações dos valores necessários para cada componente de um determinado circuito, com o propósito de se obter os melhores rendimentos e o mínimo de gasto com energia e utilização desses componentes.
Considere uma situação simples de transporte de cargas através de uma diferença de potencial. Calcule a energia em joules que é necessária para mover uma carga de 6 ext{ C} por meio de uma tensão de 3 ext{ V}.

A
1,8 ext{ J};
B
2,3 ext{ J};
C
18 ext{ J};
D
13 ext{ J};
E
2 ext{ J}.
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Considere as seguintes afirmacoes:

  1. Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
  2. Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
  3. A condutividade é o inverso da resistividade.
  4. A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
  5. Resistividade é a resistência específica de um material.

Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:

A
As afirmações I, IV e V.
B
As afirmações I, II e IV.
C
As afirmações III e IV.
D
Somente a afirmação III.
E
As afirmações III e V.
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