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Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 ext{ m}\Omega. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 imes 10^{-6} \, ext{Ω.cm} e comprimento igual a 1,3 \, ext{metros}. Determine o valor da área da seção reta deste fio.

A
0,09 cm2
B
3,09 cm2
C
1,09 cm2
D
2,09 cm2
E
4,09 cm2
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Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características: Área = 8 \times 10^{-4} \text{ mm}^2, l = 3 \times 10^{-3} \text{ m}, \varepsilon_r=5 (constante dielétrica do meio) e \varepsilon_0= 9 \times 10^{-12} \text{ F/m}.
Como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= \varepsilon \left(\frac{V}{L}\right) é igual a:

A
132,8 \times 10^{-14} \text{ C/m}^2
B
4,8 \times 10^{-8} \text{ C/m}^2
C
0,08 \times 10^{8} \text{ C/m}^2
D
16,8 \times 10^{-8} \text{ C/m}^2
E
25,0 \times 10^{-8} \text{ C/m}^2
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Com relação ao exposto, PODEMOS afirmar que:
A
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
B
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial.
C
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
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Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.

A
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
B
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
C
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
D
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
E
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
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Leia as afirmacoes abaixo: I - Quanto maior a densidade de corrente, menor é a resistividade do material. - Para o cálculo da resistividade, são levadas em consideração as características elétricas microscópicas do material. III - Quanto maior a resistividade, menor a resistência em um fio condutor. As corretas são:
A
III
B
Le III
C
d.
D
e
E
I, e III
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Em engenharia, os materiais ditos isolantes são normalmente utilizados para separar eletricamente partes energizadas de suas estruturas de sustentação, ou permitir o manuseio das mesmas sem riscos, ou ainda no armazenamento de campo elétrico.
Sobre os materiais isolantes, avalie as seguinte proposições:

  1. Isolante se caracteriza por ser um material de baixa condutividade, da ordem de 10^{-7} a 10^{-18} S/m.
  2. Possui alta resistividade.
  3. O material dielétrico é um isolante que é utilizado entre dois materiais condutores (juntos formam um componente eletrônico denominado capacitor).
  4. A palavra dielétrico define o isolador dentro de duas placas de um capacitor.
A
Apenas a I, III e IV são verdadeiras;
B
Apenas a I, II e III são verdadeiras;
C
Apenas a I, II são verdadeiras;
D
Todas são verdadeiras.
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São exemplos de ligas ferrosas:
Assinale a alternativa correta:

  1. Aço de grão orientado (GO);
  2. Aço de grão não-orientado (GNO);
  3. Cobre comercial;
  4. Latões;
  5. Bronzes;
  6. Ligas cupro-níquel.
A
Apenas os itens I e II;
B
Apenas os itens III, IV, V e VI;
C
Os itens I, II e IV;
D
Os itens IV, V e VI.
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As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator INCORRETO:

A
impurezas do ambiente
B
indutância
C
temperatura ambiente
D
umidade ambiente
E
alta frequência da corrente
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Supondo um material que apresenta as seguintes dimensões: largura de 2 ext{ mm}, altura de 2 ext{ mm} e comprimento de 1,0 ext{ m}, e utilizando um ohmímetro, verificou-se que a resistência do material é de 0,1 ext{ } ext{Ω}. Determine a resistividade ( ho) do material em ext{Ω.cm}.

A
40 \times 10 \text{Ω.cm}.
B
5 \times 10 \text{Ω.cm}.
C
40 \times 10 \text{Ω.cm}.
D
5 \times 10 \text{Ω.cm}.
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Um medidor de isolamento, ou megôhmetro, mede a resistência de isolamento de motores, transformadores e instalações elétricas em geral para verificar sua integridade. O método no teste depende do equipamento que está sendo testado. Sobre esse assunto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

  • ( ) A resistência de isolamento pode ser definida como o quociente entre a corrente (I) aplicada ao material isolante e a tensão (U).
  • ( ) A resistência de isolamento mede a dificuldade da passagem da corrente em um dielétrico, sendo que esse impedimento ocorre enquanto o campo elétrico nele aplicado for mantido em determinado valor que está diretamente relacionado à natureza do material isolante e a suas condições físicas.
  • ( ) O impedimento à passagem da corrente não é total, mas se o isolante for submetido a uma tensão, ele será percorrido por uma corrente, e a divisão entre essas duas grandezas resulta na resistência de isolamento.
  • ( ) A resistência de isolamento pode ser definida como o quociente entre a tensão (U) e a corrente (I) aplicada ao material isolante.
A
F - V - V - F.
B
F - V - V - V.
C
V - F - V - V.
D
F - V - F - V.
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