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Assinale a alternativa em que o termo indicado, no texto, não exerça função sintática de sujeito.

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Uma das principais diferenças entre o enviesamento direto e reverso é que na polarização direta o terminal positivo da bateria está conectado ao semicondutor tipo p material e terminal negativo está ligado ao semicondutor do tipo n material. Considerando que na polarização reversa material do tipo n está ligado ao terminal positivo da oferta e do material do tipo p está ligado ao terminal negativo da bateria. O termo polarização significa que a alimentação elétrica ou diferença de potencial está conectada ao dispositivo semicondutor. A diferença de potencial é dada de dois tipos, através da polarização direta e da polarização reversa. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- O diodo 'desligado' ou com polarização reversa ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o terminal positivo esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n.
II- O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
III- Um método alternativo para descobrir se o diodo está em polarização direta ou reversa é analisar que em polarização reversa o terminal positivo está conectado ao material semicondutor do tipo n e o terminal negativo está conectado ao material semicondutor do tipo p.
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Para esse padrão, os tipos de criptografia, a freqüência e as taxas de transferência de dados permitidas são:

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No estudo de controles e limites, sempre se observa o comportamento e classificação das barras do sistema, isto é: seu tipo (PQ, PV), bem como se os valores especificados encontram-se dentro da faixa aceitável de operação.
Considerando estas informações e o conteúdo estudado sobre controles e limites, pode-se afirmar que uma barra de tensão controlada é considerada como uma barra de carga na iteração subsequente quando:

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Em relação à operação em frequência variável dos conversores CC-CC, é correto afirmar que:

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É um dispositivo especial utilizado para o disparo de certos circuitos:

Escolha uma opção:

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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
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Analise o circuito representado a seguir, em que b3_i representa a admitância no ramo i e I representa o fasor da corrente:

Considerando essas informações e o conteúdo estudado, o valor da admitância de entrada da barra 1 é de:

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QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:

I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de 0.3 ext{ V} e 0.7 ext{ V} para diodos construídos com germânio e silício, respectivamente. Assinale a alternativa que indica quais afirmações estão corretas.

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São feitas afirmações sobre o TJB. Marque as alterativas que são ERRADAS.

Escolha uma ou mais:

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