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O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).

A
F - V - F - V.
B
F - V - V - F.
C
V - V - V - F.
D
V - F - V - F.
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O que é zona controlada?

A
Área onde a formação de mistura explosiva é existente por longos períodos ou é contínua.
B
Área em torno da parte condutora energizada, segregada, acessível, de dimensões estabelecidas de acordo com nível de tensão, cuja aproximação só é permitida a profissionais autorizados, conforme determinado na NR10.
C
Área onde a formação de mistura explosiva pode acontecer de maneira esporádica, em condições normais de operação e realização de atividades.
D
Área onde a formação de mistura explosiva é pouco provável ou acontece em curtos períodos, em condições anormais de operação e realização de atividades.
E
Área onde a nuvem de poeira potencialmente explosiva é constante ou se faz presente por longos períodos.
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Questão 2/5 - Instrumentação Eletrônica
Considere que os valores de R_1 e R_2 do amplificador de instrumentação exibido na figura seguinte são iguais a 100 ext{k}\Omega, e que o mesmo tem um ganho de tensão igual a 1010. Calcule a tensão de saída V_o considerando: V_1 = 5,003 ext{ V} e V_2 = 5,001 ext{ V}.

A
V_0 = 2,02 ext{ V}
B
V_0 = -2,02 ext{ V}
C
V_0 = 2,20 ext{ V}
D
V_0 = -2,20 ext{ V}
E
V_0 = -2,22 ext{ V}
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Qual é a tabela verdade que representa a relação entre as entradas A e B e a saída S no circuito lógico apresentado?

A
A B S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
B
A B S
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 1
C
A B S
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
D
A B S
0 0 1
0 1 1
1 0 0
1 1 0
E
A B S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
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De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a frequência mínima da onda triangular da modulação por largura de pulso (MLP) em relação à frequência da onda de referência para obter uma reprodução aceitável do sinal modulado?
A
Pelo menos 10 vezes menor do que a frequência da onda de referência.
B
Geração de Fator de potência abaixo do aceito.
C
Não há relação entre a frequência da onda triangular e a frequência da onda de referência.
D
Pelo menos 10 vezes maior do que a frequência da onda de referência.
E
Igual à frequência da onda de referência.
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Quando uma linha de transmissão fornece potência a uma carga de valor igual ao da impedância característica da linha, diz-se que a potência que flui por esta LT é a potência natural ou SIL (Surge Impedance Loading). Considere as seguintes afirmações:

Assinale a alternativa correta:

  1. Se a tensão nominal na carga é o dobro da impedância da carga, então o SIL será sempre igual à 4.
  2. Quanto maior for a impedância da carga, para um valor de tensão nominal fixo, menor será o SIL.
  3. Quanto maior o comprimento da linha maior o SIL para uma tensão nominal fixa.
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Com base no contexto sobre MESFETs, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
  • ( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
  • ( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
  • ( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
A
F - V - F - V.
B
V - V - F - F.
C
V - F - V - F.
D
F - V - V - F.
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Um conversor CC-CC no modo chaveado é muito mais eficiente do que um conversor linear por causa das reduções das perdas na chave eletrônica. De acordo com seus conhecimentos, assinale a alternativa que corresponde a principal característica do conversor SEPIC em relação à corrente de saída?

A
A corrente de saída é sempre maior que a corrente de entrada.
B
A corrente de saída é pulsante.
C
A corrente de saída é sempre contínua.
D
A corrente de saída é sempre descontínua.
E
A corrente de saída é inversa à corrente de entrada.
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