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Instrumentação Eletrônica

Os gráficos seguintes representam a resposta em frequência dos filtros passa-baixas e passa-altas. Considerando que o sinal na entrada do filtro tem amplitude máxima de 5V qual será a amplitude do sinal de saída dos filtros na frequência de corte?

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Considere que os valores de R1 e R2 do amplificador de instrumentação exibido na figura seguinte são iguais a 100k\Omega, e que o mesmo tem um ganho de tensão igual a 1010. Calcule a tensão de saída V_o considerando: V_1 = 5,003 \text{ V} e V_2 = 5,001 \text{ V}

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Leia o excerto a seguir. “Um circuito de polarização CC denominado de circuito de polarização do emissor contém um resistor de emissor para melhorar o nível de estabilidade da configuração com polarização fixa. Quanto mais estável for uma configuração, menos sua resposta ficará sujeita a alterações indesejáveis de temperatura e variações de parâmetros”. Com base nisso e em nossos estudos sobre a polarização CC, analise a figura a seguir com um exemplo desse tipo de circuito, usando um transistor NPN. Considerando a configuração de polarização de emissor e a figura exposta anteriormente, analise as afirmativas a seguir.
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A respeito dos tipos de circuitos inversores, analise as afirmativas a seguir e assinale V para a(s) Verdadeira(s) e F para a(s) Falsa(s).

I. (    ) O valor de pico, entregue à carga, é duas vezes a tensão de entrada.

II. (    ) A potência entregue à carga pode ser estimada a partir da resistência dessa carga.

III. (    ) Em um conversor ideal, a potência de entrada será diferente da potência de saída.

IV. (    ) A potência de entrada, entregue pela fonte, pode ser calculada a partir da corrente de saída.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

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Com base no exposto, analise as sentenças a seguir: I. A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações de controle. II. O projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta tangente do coletor e do emissor. III. O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. IV. Os transistores PNP operam com valores positivo/ negativo/ positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP. É correto o que se afirma em:

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Sobre os amplificadores operacionais, ideais, pode-se fazer algumas considerações. Assinale a alternativa que corresponde a uma dessas considerações.

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Quando testamos um transistor npn usando um ohmímetro, a resistência coletor-emissor será baixa quando:
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O transistor de ponto de contato (primeiro transistor, precursor do BJT) foi desenvolvido no final da II Guerra Mundial (1947/1948) por duas equipes da Bell Labs: (1) Walter Brattain e John Bardeen e (2) William Shockley. Os três foram premiados com o Nobel da Física pela invenção do transistor. O transistor foi considerado uma das mais importantes invenções do século XX.

Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:

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Em um circuito TBJ que possui um parâmetro \beta = 100, foi medido uma corrente de 8 \text{mA} no terminal de emissor. Nesse caso podemos afirmar que as correntes de coletor e de base caso respectivamente:
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Dopagem eletrônica ou simplesmente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
Verdadeiro

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