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Em um projeto de uma fonte de alimentação, representada em parte pelo circuito abaixo, utilizou-se um MOSFET do tipo intensificação, onde um dos parâmetros requeridos foi V_{DS} = 15V. Qual o valor de V_{GS} para que tal exigência seja cumprida?
A
7,92V
B
4,99V
C
4,46V
D
5,35V
E
5V
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Em relação à dopagem da base de um transistor npn, podemos afirmar que:
A
É larga e fortemente dopada
B
É estreita e fortemente dopada
C
É larga e levemente dopada
D
É estreita e levemente dopada
E
Dopada com um material pentavalente
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No processo químico de separação por bioafinidade, tem-se:
I. A utilização de grupos com especificidade biológica.
II. A separação dos anticorpos dispersos na fase móvel devido a interação com antígenos específicos, ligados a fase móvel.
III. Grupos com especificidade biológica quimicamente ligados ao suporte da fase móvel.
IV. A separação dos anticorpos dispersos na fase móvel devido a interação com antígenos específicos, ligados a fase estacionária.
A
I e II.
B
I e IV.
C
I, II, III e IV.
D
II, III e IV.
E
II e IV.
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Os diodos zener são produzidos para operar de uma maneira diferente dos diodos semicondutores. Quando polarizados reversamente, com uma potência de 20 ext{ mW} e uma corrente de 10 ext{ mA}, um modelo ideal dos diodos zener apresenta qual tensão?
A
Tensão de ruptura
B
0,3 ext{ V}
C
0,7 ext{ V}
D
Tensão da fonte de alimentação utilizada
E
0 ext{ V}
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O Silício era utilizado como base para o mercado de eletrônica mundial, entretanto, devido as suas limitações, um novo grupo de elementos e compostos entrou no foco da tecnologia de semicondutores de banda larga (WBS – wide band semiconductor). Os mais conhecidos são o Carboneto de Silício (Silicon Carbide – SiC), o Nitreto de Gálio (Gallium Nitride – GaN) e o Diamante. Sobre o exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas:

I- Os semicondutores de banda larga destacam-se porque possuem um melhor rendimento em relação a perdas por comutação, devido a sua rapidez em mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa.

II- A mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa é possível devido a uma menor concentração de portadores intrínsecos, a um maior campo elétrico de ruptura, uma maior condutividade térmica e uma maior velocidade oriunda dos elétrons saturados.

A
As asserções I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.
B
As asserções I e II são proposições falsas.
C
A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
D
As asserções I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
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O que ocorre se a resistência do potenciômetro estiver muito alta?
A
A tensão na base do transistor vai ser muito alta mesmo no escuro, fazendo com que o LED não acenda.
B
A tensão na base seria muito baixa fazendo com que o transistor não chegasse na região de condução.
C
A tensão na base do transistor vai ser muito baixa mesmo no escuro, fazendo com que o LED não apague.
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Suponha que um fóton tenha uma frequência de 1 ext{ Hz}. A energia deste fóton, aproximadamente, em Joules, é:
A
3,21 \times 10^{-17} \text{ J}
B
6,60 \times 10^{-20} \text{ J}
C
6,63 \times 10^{-34} \text{ J}
D
5,55 \times 10^{20} \text{ J}
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Com base no contexto sobre o diodo semicondutor, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que podemos aplicar quando se está inversamente polarizado sem que o danifique.
  • ( ) Para uma gama grande de diodos o valor da tensão de ruptura é de 50 V, mas este valor pode ser diferente e consta no seu datasheet.
  • ( ) Podemos perceber que a medida que aumentamos a tensão de polarização reversa sobro o diodo a corrente de polarização reversa se mantém praticamente constante até atingir a tensão de ruptura, quando ocorre um efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem mais rapidamente.
  • ( ) Um processo de saturação fará com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia suficiente para que deixem o átomo de origem.
A
F - V - F - V.
B
V - V - V - F.
C
V - F - V - F.
D
F - V - V - F.
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Considerando o fato do processo de dopagem de materiais semicondutores ser essencial para a obtenção de um diodo de junção PN, qual será o efeito sobre as características condutivas/isolantes dos materiais semicondutores quando lacunas ou elétrons forem inseridos como portadores majoritários?

A
A inserção de lacunas aumenta a condutividade, e a inserção de elétrons aumenta a resistividade do material semicondutor.
B
A inserção de dopantes não altera a condutividade do material semicondutor.
C
A inserção de lacunas aumenta a resistividade, e a inserção de elétrons aumenta a condutividade do material semicondutor.
D
Ambas aumentam a resistividade do material semicondutor.
E
Ambas aumentam a condutividade do material semicondutor.
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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
A
V - F - F - V.
B
V - V - F - F.
C
F - V - F - V.
D
F - V - V - F.
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