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Para o circuito da figura: Considerando R_1 = 12k \, \Omega, R_2 = 24k \, \Omega, V_i = -3 \, V
Qual o valor da tensão de saída V_o?

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O capacitor é um dispositivo elétrico formado por duas placas condutoras de metal separadas por um material isolante chamado dielétrico. Sobre ele, analise outras considerações que se seguem e escolha a alternativa que contempla as corretas:
I- O capacitor armazena a carga elétrica no dielétrico.
II- O capacitor fora de um circuito energizado não possui carga.
III- Capacitância é a capacidade de armazenamento de carga elétrica pelo capacitor.
IV- A capacitância é dada pela expressão C = \frac{V}{Q}, e sua unidade é o farad (F).
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Dada uma tensão senoidal não retificada com valor máximo igual a 25 \, V, determine o seu valor eficaz.
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Qual o valor da tensão de saída do circuito seguinte? Considere que:

  • Tensão de alimentação: V_{cc} = ext{±}15 ext{ V}
  • Tensão de saída de saturação: V_{sat} = ext{±} V_{cc}
  • Ganho de amplificação de malha aberta é A_{vd} = 400.000.
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Dado o amplificador a TBJ da figura abaixo, podemos afirmar que para um transistor de Silício, no ponto quiescente temos:
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Determine V e I para os circuitos da Figura abaixo:

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Complete a frase. Na utilização do voltímetro e do amperímetro, devemos ligar o voltímetro em _________ e o amperímetro em _________ com o circuito a ser medido.

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Instrumentação Eletrônica

Qual o valor da tensão de saída V_o? Considere: R_1=R_2, R_3=R_4, V_1=3 ext{ mV} e V_2=5 ext{ mV}.

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O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
  • ( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
  • ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
  • ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
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Um defeito pode ser definido como:

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