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Para o circuito da figura: Considerando R_1 = 12k \, \Omega, R_2 = 24k \, \Omega, V_i = -3 \, V
Qual o valor da tensão de saída V_o?

A
V_0 = 6 \, V
B
V_0 = -6 \, V
C
V_0 = 5,6 \, V
D
V_0 = 4,5 \, V
E
V_0 = 3,6 \, V
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O capacitor é um dispositivo elétrico formado por duas placas condutoras de metal separadas por um material isolante chamado dielétrico. Sobre ele, analise outras considerações que se seguem e escolha a alternativa que contempla as corretas:
I- O capacitor armazena a carga elétrica no dielétrico.
II- O capacitor fora de um circuito energizado não possui carga.
III- Capacitância é a capacidade de armazenamento de carga elétrica pelo capacitor.
IV- A capacitância é dada pela expressão C = \frac{V}{Q}, e sua unidade é o farad (F).
A
Apenas I e III.
B
Apenas I e II.
C
Apenas I e IV.
D
Apenas I, II e III.
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Dada uma tensão senoidal não retificada com valor máximo igual a 25 \, V, determine o seu valor eficaz.
A
17,3 \, V
B
15,3 \, V
C
13,7 \, V
D
15,7 \, V
E
17,7 \, V
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Qual o valor da tensão de saída do circuito seguinte? Considere que:

  • Tensão de alimentação: V_{cc} = ext{±}15 ext{ V}
  • Tensão de saída de saturação: V_{sat} = ext{±} V_{cc}
  • Ganho de amplificação de malha aberta é A_{vd} = 400.000.
A
V_{0} = 800.000 ext{ V}
B
V_{0} = -800.000 ext{ V}
C
V_{0} = 13 ext{ V}
D
V_{0} = -15 ext{ V}
E
V_{0} = 15 ext{ V}
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Dado o amplificador a TBJ da figura abaixo, podemos afirmar que para um transistor de Silício, no ponto quiescente temos:
A
V_{CEQ} = 10,7 ext{ [V]} ext{ e } V_{BEQ} = 0,7 ext{ [V]}
B
V_{CEQ} = 6,7 ext{ [V]} ext{ e } I_{CQ} = 2 ext{ [mA]}
C
I_{BQ} = 42,8 ext{ [µA]} ext{ e } I_{CQ} = 2,14 ext{ [mA]}
D
V_{CEQ} = 0,7 ext{ [V]} ext{ e } I_{CQ} = 5 ext{ [mA]}
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Determine V e I para os circuitos da Figura abaixo:

A
V = 14,6 ext{ V} ; I = 3,96 ext{ mA}
B
V = -4 ext{ V} ; I = 3,96 ext{ mA}
C
V = 12,6 ext{ V} ; I = 5,3 ext{ mA}
D
V = 4,6 ext{ V} ; I = 2,96 ext{ mA}
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Complete a frase. Na utilização do voltímetro e do amperímetro, devemos ligar o voltímetro em _________ e o amperímetro em _________ com o circuito a ser medido.

A
série – paralelo
B
série – série
C
paralelo – série
D
paralelo – paralelo
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Instrumentação Eletrônica

Qual o valor da tensão de saída V_o? Considere: R_1=R_2, R_3=R_4, V_1=3 ext{ mV} e V_2=5 ext{ mV}.

A
V_o = - 8 ext{ mV}
B
V_o = 8 ext{ mV}
C
V_o = - 2 ext{ mV}
D
V_o = 2 ext{ mV}
E
V_o = - 15 ext{ mV}
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O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
  • ( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
  • ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
  • ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
A
F - V - V - F.
B
F - V - F - V.
C
V - F - F - V.
D
V - V - F - F.
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Um defeito pode ser definido como:

A

qualquer condição anormal da peça.

B

qualquer descontinuidade com um volume maior que 3 mm cúbicos.

C

uma descontinuidade com o tamanho, formato, orientação ou localização que o faz prejudicial a utilização da peça.

D

qualquer mudança de estrutura do material.

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