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Calcule a tensão que chega na entrada do amplificador (tensão V_E), considerando que: V_i = 200 ext{mV} (fonte de sinal), R_i = 2 ext{M} \u03A9 (resistência da fonte de sinal), Z_i = 1 ext{M}  (resistência de entrada do amplificador operacional)

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Um amplificador operacional LM741 da Texas Instruments é alimentado por ±15V, configurado para um ganho de tensão de 100.000. Consulte a folha de dados e responda qual o ganho máximo de tensão em malha aberta desse componente e, se a tenção de saída for 2V, qual será a tensão de entrada?

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Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir:

I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está efetivamente conectada ao terra.

II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo convencional).

III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento).

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Considere o transformador da figura abaixo ideal e determine a corrente no primário na condição de máxima potência.

Escolha uma opção:

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Em novembro de 1947, os cientistas do laboratório da Bell Telephone descobriram o transistor, apesar de suas pesquisas tentarem ir para outra direção. Eles verificaram que quando aplicada certa tensão a um dos terminais do componente, o sinal que saía no outro terminal era amplificado. Sendo assim, o transistor se tornou o responsável pela amplificação de sinal, além de servir como um controlador que interrompe ou libera a passagem de corrente elétrica.

Com base no exposto, assinale a alternativa:

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Considere: R_1 = R_2.
Qual a relação entre os valores dos resistores R_3 e R_4 para que a expressão da tensão de saída seja igual a V_0 = 2 imes (V_1 + V_2)?

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De acordo com a figura-1, calcule a frequência de corte devido ao capacitor de acoplamento C. Dados: R = 12k ext{Ω} , C = 0,05 ext{µF}, R = 2 ext{MΩ} e ext{π} = 3,14.

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O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
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Uma linha de transmissão longa é representada pelo seguinte modelo, conhecido como modelo π. Esse modelo é útil para representar as perdas elétricas, a reatância imposta pelas longas distâncias e o efeito capacitivo formado entre a linha de transmissão e o solo.

A respeito da transformada de Fourier, selecione a alternativa correta.

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Em uma experiência com o experimento do Diodo Zener, responda:

O que difere os díodos de zener dos diodos regulares?

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