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I. A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV.
II. A curva pode ser aproximada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo p e do tipo n.
III. O mecanismo de ruptura Zener, mesmo que esse tenha a principal relevância em baixos níveis de V_BV e região com acentuada mudança para quaisquer valores, é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener.
IV. A ruptura Schottky ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste modo poder perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e do tipo p "gerando" portadores.
É correto o que se afirma em:
A junção , obtida a partir dos materiais semicondutores dos tipos e — os quais são resultado de materiais como o silício e sua dopagem, por exemplo —, é fundamental para a construção de diversos dispositivos eletrônicos, como é o caso dos diodos retificadores e dos transistores bipolares de junção (TBJ), que, inclusive, recebem tal nome devido à dupla junção estabelecida para o seu desenvolvimento, resultando nos tipos NPN e PNP.
Nesse sentido, com base em nossos estudos a respeito do desenvolvimento de transistores bipolares de junção, analise as afirmativas a seguir.
- I. Se a junção não for polarizada, haverá um campo elétrico na sua região de depleção.
- II. Um transistor TBJ do tipo NPN geralmente é um dispositivo de resposta mais rápido devido à forma com a qual as junções se estabelecem.
- III. Para o desenvolvimento de transistores de alta velocidade, sugere-se o uso de materiais como o arseneto de gálio, em configurações PNP.
- IV. Conforme a tensão aplicada à junção se eleva, independentemente da polarização, a região de depleção se torna mais estreita.
I- Ao dopar o material de modo que contenha as duas características aparecerá uma região de junção na borda onde os materiais semicondutores do tipo p e n se encontram.
II- Entende-se por diodo a concentração de dois quadripolos.
III- Um outro nome dado a junção pn é diodo de junção.
Os transistores podem ser utilizados para várias aplicações inclusive como amplificador de corrente. Analise as assertivas abaixo e assinale a alternativa correta com base na figura.
- Essa configuração do transistor é chamada de emissor-comum porque:
- Os circuitos de base e de coletor compartilham o terminal do emissor como uma ponte de conexo a comum.
Para que o circuito da figura funcione corretamente com as tensões mostradas, é necessário que:
Sabendo que um amplificador operacional tem um ganho de tensão de malha aberta igual a
Para responder à questão, analise as afirmativas referentes ao circuito da figura 7.
Escolha a alternativa correta:
I. O circuito em questão é um oscilador de deslocamento de fase, tendo os elementos R1, C1, R2 e C2 como responsáveis pela defasagem de 90 graus entre a entrada e saída;
II. Os resistores R3 e R4 fazem parte do cálculo da frequência de oscilação do circuito;
III. Os componentes R1, C1, R2 e C2 participam do cálculo da frequência de oscilação do circuito.
Os transistores bipolares são assim chamados porque a corrente controlada deve passar por dois tipos de material semicondutor: P e N. A corrente consiste tanto no fluxo de elétrons quanto no orifício, em diferentes partes do transistor. Os terminais de um transistor bipolar são chamados de Emissor, Base e Coletor.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
- ( ) Os transistores podem ser usados como elementos de comutação para controlar a energia CA a uma carga.
- ( ) Os transistores bipolares consistem em uma estrutura de "sanduíche" de semicondutores N-P-N.
- ( ) Quando um transistor tem corrente zero através dele, diz-se que está em um estado de saturação.
- ( ) Quando um transistor tem corrente máxima através dele, diz-se que está em um estado de corte.