Questões

Considerando a configuração de polarização de emissor e a figura exposta anteriormente, analise as afirmativas a seguir.

I. Na configuração vista, o equivalente para análise CC da malha base-emissor é formado pela fonte em série com as resistências de base e emissor.

II. Nesse caso, a análise CC da malha coletor-emissor pode ser feita pela fonte em série com as resistências dos terminais coletor e emissor.

III. A tensão coletor-terra é dada por V_{cc} - V_{ce}, menos a tensão vista no terminal emissor com o terra.

IV. Supondo-se que a fonte entrega 12 ext{ V}, que a corrente no coletor é de 1 ext{ mA} e que a resistência usada no coletor é de 10 ext{ k}\Omega, a tensão coletor-terra é 2 ext{ V}.

Está correto o que se afirma em:

Considere o circuito amplificador diferencial a seguir: Ambos transistores Q1 e Q2 são idênticos e apresentam resistência de entrada r_i = 20 \, k\Omega e ganho \beta = 80. Suponha que na entrada V_{i1} foi ligado um sinal com amplitude 200 \, mV e na entrada V_{i2} foi ligado um sinal com amplitude 150 \, mV.
Qual deve ser o valor do resistor de coletor?
É necessário obter uma saída diferencial com amplitude de +5 \, V.

Para o amplificador abaixo alimentado com uma tensão de +/- 12 V, onde foram aplicadas tensões de 1mV em cada umas das entradas, calcule a tensão de saída (V_o).

Calcule a tensão de saída (V_o).

Pergunta 9) Os circuitos de polarização CC podem ser implementados de formas pré-determinadas, embora possam, ainda, vir de combinações entre estas. Um dos exemplos mais comuns e simples de implementação é o circuito de polarização fixa. Contudo, quando se deseja outra particularidade de projeto — como maior controle da dependência do ganho de corrente —, sugere-se o circuito divisor de tensão. Assim, com base nisso e considerando mais especificamente os processos de análises aproximada e exata, analise as afirmativas a seguir e marque V para as verdadeiras e F para as falsas.

I. ( ) De forma aproximada, tem-se a conclusão de que a corrente que circula no coletor é a mesma que circula no terminal emissor do transistor.

II. ( ) Tem-se, de forma aproximada, que, no ponto Q, a tensão na junção coletor-emissor pode ser aproximada ao valor aplicado ao coletor.

III. ( ) Define-se como potencial máximo de polarização reversa o valor de tensão que poderá ser aplicado ao diodo, limítrofe, antes que o dispositivo desloque sua operação para a região direta.

IV. ( ) Na condição de saturação, a corrente máxima definida para esse tipo de circuito dependerá do valor da corrente no coletor no momento.

Agora, assinale a alternativa com a sequência correta.

Um amplificador operacional tem um ganho de tensão de malha aberta igual a 116 dB. Converta este ganho para um valor que represente o número de vezes que a tensão diferencial de entrada é amplificada.

No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (TBJ), assinale a alternativa correta.

Marque a opção correta sobre o receptor de imagem de Silício Amorfo.

O transistor FET, do inglês 'Field Effect Transistor', ou, em português Transistor de Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo elétrico junção.
Com base ne contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

• ( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
• ( ) O nome 'efeito de campo' é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras.
• ( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis e termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados.
• ( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares (dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).