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Qual é a principal crítica do filósofo Nietzsche ao conceito de moralidade tradicional?
No dimensionamento de vigas deve-se levar em consideração as deformações sofridas devido aos esforços solicitados. A viga a seguir foi analisada por um engenheiro calculista que utilizou o método da carga unitária para análise do deslocamento vertical do ponto B da estrutura. Usando o sentido de B para A, a equação do momento fletor para o sistema virtual, corresponde a:
Em função do tamanho reduzido dos componentes SMD, as práticas e técnicas de montagem e desmontagem destes componentes demandam maior treinamento para execução adequada.
Quais são as principais técnicas de retrabalho em placas de PCB com componentes SMD?
O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
- ( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
- ( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras.
- ( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados.
- ( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como o nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares (dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).
Acerca dos amplificadores operacionais assinale a alternativa correta.
Os amp-ops possuem uma baixa impedância de saída, idealmente podemos aproximar esta impedância a zero
Os Amp-ops possuem um ganho de entrada extremamente pequeno
Existe uma grande circulação de corrente entre os termianis inversor e não inversor
A configuração de amplifcador não inversor não é possivel de se implementar em circuitos com amp-ops
O ganho diferencial dos amp-ops é muito pequeno, tendo que ser utilizados muitos componentes para amplificar o sinal
O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados de modo que folhas de dados incluíam os parâmetros em sua lista, porém por serem definidos para um conjunto de condições operacionais, pode ocorrer a não correspondência com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
Um amplificador real não possui o mesmo comportamento de um ideal. Possuindo limitações de operação, assim como a taxa de inclinação, a qual faz com que variações mais bruscas no sinal de entrada não causem a mesma variação no sinal de saída. Essa taxa de inclinação pode ser calculada para verificar em quanto tempo o sinal de saída irá variar até sua taxa máxima. Sobre a máxima taxa na qual a saída do amplificador pode variar em volts por Microssegundo (Slew Rate), classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
- ( ) Não há condução perfeita entre emissor e coletor.
- ( ) Uma pequena queda de tensão se formará entre esses terminais. As folhas de dados dos transistores definem esta tensão como Tensão de Saturação Coletor-Emissor
V_{CE(sat)} , uma tensão de coletor para emissor necessária para saturação. Esse valor, geralmente, gira em torno de0,05 a0,2 Volts. - ( ) Esse valor significa que
V_C deve ser ligeiramente maior queV_E (mas ambos ainda inferioresV_B ) para o transistor operar na região de saturação. - ( ) Há condução perfeita entre emissor e coletor.