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O que é a temperatura de fusão?

A

A temperatura em que um sólido se transforma em líquido.

B

A temperatura em que um líquido se transforma em gás.

C

A temperatura em que um gás se transforma em líquido.

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Sobre o tema explanado, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Dá-se o nome de corrente contínua à corrente que possui um único sentido.

( ) À corrente cujo sentido varia ao longo do tempo, dá-se o nome de corrente alternada.

( ) A operação dos instrumentos analógicos se baseia fundamentalmente em fenômenos eletromagnéticos ou eletrostáticos.

( ) A operação dos instrumentos analógicos se baseia fundamentalmente em fenômenos termodinâmicos e fluidoestáticos.

A
F - V - V - F.
B
V - V - F - V.
C
V - F - V - F.
D
V - V - V - F.
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A maioria dos materiais isolantes tem um número reduzido de elétrons ou íons móveis que permitem uma ínfima passagem de corrente elétrica quando colocados em um campo elétrico. O campo elétrico interage nos isolantes elétricos provocando um ligeiro deslocamento no balanço das cargas positivas e negativas dentro do material para formar um dipolo elétrico, e denominados materiais dielétricos. Duas cargas pontuais de módulo q e sinais opostos, separados entre si de uma distância s (eixo do dipolo), constituem um dipolo elétrico. Sobre esse assunto, analise as sentenças a seguir: Assinale a alternativa CORRETA:
A
As sentenças II, III e IV estão corretas.
B
As sentenças I, II e III estão corretas.
C
As sentenças I, II e IV estão corretas.
D
As sentenças I, II, III e IV estão corretas.
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Os materiais utilizados na fabricação de cabos e fios devem possuir boa condutividade elétrica, além de propriedades mecânicas. A resistividade elétrica do material condutor é dependente da variação de temperatura. Com base no exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas: Os condutores de cobre e alumínio são os mais utilizados, sendo que, para determinada corrente, a seção condutora do alumínio em relação ao cobre deverá ser maior. PORQUE II- 0 cobre apresenta maior resistividade em relação ao alumínio. Devido à seção maior do alumínio, é necessário um menor volume de material isolante que envolve um fio ou cabo. Assinale a alternativa CORRETA:
A
A primeira asserção é uma proposição verdadeira, e a segunda, uma proposição falsa.
B
As duas asserções são proposições verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
C
As duas asserções são proposições verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
D
A primeira asserção é uma proposição falsa, e a segunda, uma proposição verdadeira.
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Com base nas propriedades elétricas de uma linha de transmissão, assinale a alternativa CORRETA:

A

Para determinar a capacitância em uma LT, devemos seguir a lei de Ampère, a qual estabelece o campo magnético gerado por um condutor retilíneo percorrido por uma corrente elétrica de intensidade.

B

A capacitância da linha de transmissão é, geralmente, determinada pela diferença de potencial elétrico entre os condutores e está relacionada às dimensões e distância entre eles.

C

A capacitância das LTs em corrente contínua varia conforme o comprimento da linha.

D

Para determinar a impedância em uma LT, devemos seguir a lei de Gauss, a qual relata que o fluxo do campo elétrico em qualquer superfície fechada é igual à razão entre a carga total no seu interior e a permissividade do vácuo.

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Os tópicos abordados referentes a circuito RLC com alimentação senoidal, pode-se comprovar a sua magnitude intensa e tão vital para a vida humana e além de ser fruto de variadas pesquisas que se fundamenta em seu funcionamento. Assim temos um circuito RLC paralelo visto a seguir:
Pede-se para determinar, sabendo que a tensão da fonte é de 10V: - Corrente em cada componente (I_R,I_C,I_L) - Corrente Total - Angulo de defasagem da corrente total com I_R
A
I_R = 100mA, I_C = 100mA, I_L = 100mA, I = 300mA, Z = 316Ω, heta = 71, 5°
B
I_R = 10mA, I_C = 20mA, I_L = 50mA, I = 31.6mA, Z = 316Ω, heta = 71, 5°
C
I_R = 10A, I_C = 20A, I_L = 50A, I = 31.6A, Z = 316Ω, heta = 71, 5°
D
I_R = 31.6mA, I_C = 20mA, I_L = 50mA, I = 300mA, Z = 312Ω, heta = 71.5°
E
I_R = 1A, I_C = 1A, I_L = 2A, I = 5A, Z = 10Ω, heta = 71.5°
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O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
A
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
B
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
C
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
D
Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
E
Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
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Cada par de elétrons compartilhados constitui uma ligação. É possível que a atração dos átomos sobre os elétrons na ligação seja idêntica, no caso de os elétrons ocuparem uma posição equidistante dos núcleos atômicos. Contudo pode ocorrer que os elétrons sejam atraídos mais fortemente por um dos átomos e, em consequência, o centro elétrico das cargas negativas não corresponde com o das cargas positivas (núcleos). Dito de outro modo, as cargas negativas e positivas associadas em uma união covalente podem ser apresentadas como se estivessem deslocadas umas em relação às outras, para formarem um dipolo análogo a pólos de um pequeno ímã. Sobre o assunto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
A
Somente a sentença II está correta.
B
As sentenças I e II estão corretas.
C
Somente a sentença III está correta.
D
Somente a sentença I está correta.
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Para a produção e fabricação de materiais para atender as exigências de serviços é necessária uma compreensão das relações entre microestrutura dos materiais e suas propriedades mecânicas. Leia atentamente as seguintes propriedades mecânicas e enumere com exatidão dos seus respectivos nomes:

Estas propriedades denominam-se, respectivamente:

A
Tensão e Deformação; Tensão nominal e deformação nominal; Deformação plástica; Deformação elástica; Resistência à fratura;
B
Tensão e Deformação; Tensão nominal e deformação nominal; Deformação elástica; Deformação plástica; Resistência à fratura;
C
Tensão e Deformação; Deformação plástica; Deformação elástica; Tensão nominal e deformação nominal; Resistência à fratura;
D
Tensão e Deformação; Deformação elástica; Deformação plástica; Tensão nominal e deformação nominal; Resistência à fratura.
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Questão 9/10 - Equações Diferenciais

Para modelar uma equação diferencial de crescimento de uma população P que cresce a uma taxa proporcional à população inicial, podemos utilizar a equação rac{dP}{dt} = kP, onde k é uma constante de proporcionalidade. Como estamos falando do crescimento da população, analise as setenças a seguir, assinalando V para as afirmativas verdadeiras e F para as alternativas falsas:

1. ( ) k>0

2. ( ) rac{dP}{dt} < 0

3. ( ) rac{dP}{dt} > 0

Agora, marque a sequência correta:

A
F,F,F
B
F,F,V
C
V,F,V
D
F,V,V
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