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Um MOSFET-D é considerado um
A
Chave de alta potência.
B
Dispositivo normalmente em corte.
C
Dispositivo normalmente em condução.
D
Dispositivo passivo.
E
Dispositivo controlado por corrente.
Os amplificadores de grande sinal são separados em classes de acordo com o aproveitamento do sinal e o rendimento. Escolha uma opção:
A
Classe C regula o sinal de saída a partir de modulação por largura de pulso
B
Classe A possui o menor rendimento devido à manutenção do ponto de operação no centro da reta de carga.
C
Classe A possui o maior rendimento devido à manutenção do ponto de operação no centro da reta de carga.
D
Classe B opera somente com transistores PNP.
E
Classe B opera somente com transistores NPN.

Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material do tipo n, ocorrerá um aumento na região de depleção.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

  1. Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da corrente de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
  2. O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta potência.
  3. Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da tensão, daí o termo corte.

Assinale a alternativa CORRETA:

A
As sentenças I e III estão corretas.
B
Somente a sentença II está correta.
C
As sentenças I e II estão corretas.
D
As sentenças II e III estão corretas.

Os diodos zener são usados em inúmeros circuitos tais como reguladores de tensão, circuitos de proteção e circuitos que precisem de uma referência de tensão que não seja afetada (ou seja fracamente afetada) pela temperatura.
Definir a tensão do zener de proteção e o valor da corrente do fusível U1, sendo que a tensão na entrada pode atingir 100V (sobrepico de tensão - transitório), a tensão na carga (RL) não pode ultrapassar 6V e a corrente reversa que o zener suporta é de 1,5A.

A
Tensão de zener V_Z = 6V, corrente do fusível 1,5A.
B
Tensão de zener V_Z = 4V, não precisa de fusível.
C
Tensão de zener V_Z = 5,5V, não precisa de fusível.
D
Tensão de zener V_Z = 6,5V, corrente do fusível 2A.
E
Tensão de zener V_Z = 5,5V, corrente do fusível 1,4A.
Com base no contexto sobre transistores e circuitos integrados, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C).
II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e posteriormente ao emissor, a base e emissor possui dopagem leve.
III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o coletor.
A
As sentenças I e II estão corretas.
B
As sentenças I e III estão corretas.
C
As sentenças II e III estão corretas.
D
Somente a sentença II está correta.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um exemplo típico é o carbono (C) que dependendo da forma que se liga pode ser tornar um material isolante como um material condutor.
II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo grande dureza e se trata de um material isolante.
III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é um isolante.

Assinale a alternativa CORRETA:
A
As sentenças II e III estão corretas.
B
As sentenças I e III estão corretas.
C
Somente a sentença III está correta.
D
As sentenças I e II estão corretas.
Os métodos extrativos podem ser divididos em líquido/líquido ou sólido/líquido; a frio ou a quente; sistema aberto ou fechado; parcial ou exaustivo. A respeito das afirmativas abaixo, assinale a alternativa correta:
A
Maceração, turbólise e infusão.
B
Infusão, decocção e maceração.
C
Extração sob refluxo, percolação e infusão.
D
Turbólise, decocção e extração sob refluxo.
E
Percolação, maceração e decocção.

Devido a que os elementos que compõem o oscilador são reais, assinale a opção correta:

A
A estabilidade em frequência de um oscilador depende exclusivamente do elemento ativo.
B
Os parâmetros dos elementos do circuito oscilador podem ser estabilizados por compensação.
C
A principal causa de variações dos parâmetros dos dispositivos é a frequência.
D
A frequência inicialmente calculada irá a variar ao redor do valor inicial.
E
O circuito que tiver frequência maior terá maior estabilidade em frequência.

Dopagem eletrônica ou simplesmente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.

A
Verdadeiro
B
Falso
Supondo um material que apresenta as seguintes dimensões: largura de 2 ext{ mm}, altura de 2 ext{ mm} e comprimento de 1,0 ext{ m}, e utilizando um ohmímetro, verificou-se que a resistência do material é de 0,1 ext{ Ω}. Determine a resistividade ( ho) do material em ext{Ω.cm}.
A
5 \times 10^2 Ω.cm.
B
5 \times 10^{-2} Ω.cm.
C
40 \times 10^6 Ω.cm.
D
40 \times 10^{-6} Ω.cm.