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( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:
I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de
São feitas afirmações sobre o TJB. Marque as alterativas que são ERRADAS.
Escolha uma ou mais:
A distorção do sinal de entrada de um amplificador a transistor pode ser causada pela elevada amplitude desse sinal.
O TJB é um dispositivo, que se caracteriza por controlar uma elevada corrente entre emissor-coletor, por meio de uma pequena corrente de base.
Para constituir uma configuração Darlington é necessário conectar em cascata dois transistores sendo um NPN e o outro PNP.
A família de curvas características de saída do TJB apresenta comportamento semelhante a curva característica do diodo.
A configuração Darlington aumenta do ganho de corrente do circuito.
Considerando o circuito apresentado, podemos afirmar que:
para análise em corrente contínua, é possível tomar um circuito equivalente, pela análise de Thévenin, de modo que a tensão equivalente será dada pela tensão sobre o equivalente de
trata-se de um circuito de polarização CC com divisor de tensão, utilizado especialmente quando se deseja o projeto menos dependente do ganho de corrente.
a corrente na base dependerá do valor obtido no divisor de tensão, de modo que esta pode ser calculada a partir da tensão de Thévenin (
a tensão base-terra, nesse caso, é dada em função da tensão da fonte aplicada ao coletor, tal que se tem o seguinte cálculo em função da tensão de Thévenin
a consideração de circuito equivalente, pela análise de Thévenin, faz-se necessária nesse tipo de cálculo, sendo a resistência equivalente dada por
Com base no contexto sobre MESFETs, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
- ( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
- ( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
- ( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
- ( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
Qual é a relação básica entre as correntes dos três terminais de um transistor do tipo TBJ?
Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.
Questão 10/10 - Instrumentação Eletrônica
Qual é a expressão da tensão de saída Vo(t)? Considere que a tensão do gerador é
Está correta a equação abaixo? A que grandeza se refere?
u = =Qp
Q
aseSb
asVb e2
aseSb