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Um MOSFET-D é considerado um
A
Chave de alta potência.
B
Dispositivo normalmente em corte.
C
Dispositivo normalmente em condução.
D
Dispositivo passivo.
E
Dispositivo controlado por corrente.
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Os amplificadores de grande sinal são separados em classes de acordo com o aproveitamento do sinal e o rendimento. Escolha uma opção:
A
Classe C regula o sinal de saída a partir de modulação por largura de pulso
B
Classe A possui o menor rendimento devido à manutenção do ponto de operação no centro da reta de carga.
C
Classe A possui o maior rendimento devido à manutenção do ponto de operação no centro da reta de carga.
D
Classe B opera somente com transistores PNP.
E
Classe B opera somente com transistores NPN.
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Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material do tipo n, ocorrerá um aumento na região de depleção.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

  1. Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da corrente de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
  2. O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta potência.
  3. Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da tensão, daí o termo corte.

Assinale a alternativa CORRETA:

A
As sentenças I e III estão corretas.
B
Somente a sentença II está correta.
C
As sentenças I e II estão corretas.
D
As sentenças II e III estão corretas.
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Está correto o que se afirma em:
A
III e IV.
B
I e IV.
C
I e III.
D
II e IV.
E
I e II.
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Os diodos zener são usados em inúmeros circuitos tais como reguladores de tensão, circuitos de proteção e circuitos que precisem de uma referência de tensão que não seja afetada (ou seja fracamente afetada) pela temperatura.
Definir a tensão do zener de proteção e o valor da corrente do fusível U1, sendo que a tensão na entrada pode atingir 100V (sobrepico de tensão - transitório), a tensão na carga (RL) não pode ultrapassar 6V e a corrente reversa que o zener suporta é de 1,5A.

A
Tensão de zener V_Z = 6V, corrente do fusível 1,5A.
B
Tensão de zener V_Z = 4V, não precisa de fusível.
C
Tensão de zener V_Z = 5,5V, não precisa de fusível.
D
Tensão de zener V_Z = 6,5V, corrente do fusível 2A.
E
Tensão de zener V_Z = 5,5V, corrente do fusível 1,4A.
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5. Para a liga composta por Fe-C, como mostra a figura abaixo, marque a opção que indica CORRETAMENTE a solubilidade máxima do carbono (C) na ferrita.

A
Solubilidade de C em ferrita é de 0,022\%.
B
Solubilidade de C em ferrita é de 0,76\%.
C
Solubilidade de C em ferrita é de 2,14\%.
D
Solubilidade de C em ferrita é de 4,30\%.
E
Solubilidade de C em ferrita é de 2\%.
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Com base no contexto sobre transistores e circuitos integrados, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C).
II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e posteriormente ao emissor, a base e emissor possui dopagem leve.
III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o coletor.
A
As sentenças I e II estão corretas.
B
As sentenças I e III estão corretas.
C
As sentenças II e III estão corretas.
D
Somente a sentença II está correta.
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Em circuitos CA, há diversas perdas, todavia, conseguimos destacar três que ocorrem nos diodos. A perda por condução, a perda por bloqueio e a perda por comutação. Para se calcular os respectivos valores, é necessário compreender o que ocorre durante o bloqueio do diodo, em especial as perdas durante o tempo de recuperação reversa. A imagem a seguir representa os tempos na recuperação suave do diodo.

Dada a curva apresentada, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Durante o bloqueio do diodo há uma continuação da condução por um período de tempo chamada tempo de recuperação reversa (Reverse Recovery Time trr).
( ) O tempo de recuperação reversa é formado pelo tempo de armazenamento de carga na região de depleção ta e o tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor tb.
( ) O tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor é representado pelo tempo que leva para a corrente de pico reversa IRR chegar a 29%.
( ) O tempo de recuperação reversa é definido pelo tempo necessário para que as cargas possam se recombinar com as cargas opostas e serem neutralizadas.
A
F - V - V - F.
B
V - F - V - F.
C
V - V - F - V.
D
F - V - F - V.
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Em um circuito retificador meia-onda com uma tensão de pico de 10 V, o valor da tensão média é igual a:

A
0,318 V
B
10 V
C
0,636 V
D
6,36 V
E
3,18 V
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