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Supondo um material que apresenta as seguintes dimensões: largura de 2 ext{ mm}, altura de 2 ext{ mm} e comprimento de 1,0 ext{ m}, e utilizando um ohmímetro, verificou-se que a resistência do material é de 0,1 ext{ Ω}. Determine a resistividade ( ho) do material em ext{Ω.cm}.
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Circuitos digitais utilizam transistores como chaves para criar as operações lógicas necessárias. A demanda por circuitos cada vez menores e com consumo reduzido fez com que os resistores que eram utilizados em conjunto com os transistores para criar a lógica necessária fossem substituídos por outros transistores, componentes de menor volume. Estes transistores, fazem o papel de carga ativa como é o caso do transistor Q1 da imagem abaixo.

Qual o comportamento esperado para o terminal de saída Vout desse circuito, considerando o gráfico, do comportamento dos MOSFETs para um Vdd = 15V?

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Em relação aos amplificadores emissor comum, coletor comum e base comum, avalie e assinale a alternativa que apresenta as diferenças em relação às impedâncias entres essas configurações.

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Uma das principais diferenças entre o enviesamento direto e reverso é que na polarização direta o terminal positivo da bateria está conectado ao semicondutor tipo p material e terminal negativo está ligado ao semicondutor do tipo n material. Considerando que na polarização reversa material do tipo n está ligado ao terminal positivo da oferta e do material do tipo p está ligado ao terminal negativo da bateria. O termo polarização significa que a alimentação elétrica ou diferença de potencial está conectada ao dispositivo semicondutor. A diferença de potencial é dada de dois tipos, através da polarização direta e da polarização reversa. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- O diodo 'desligado' ou com polarização reversa ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o terminal positivo esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n.
II- O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
III- Um método alternativo para descobrir se o diodo está em polarização direta ou reversa é analisar que em polarização reversa o terminal positivo está conectado ao material semicondutor do tipo n e o terminal negativo está conectado ao material semicondutor do tipo p.
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Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
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QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:

I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de 0.3 ext{ V} e 0.7 ext{ V} para diodos construídos com germânio e silício, respectivamente. Assinale a alternativa que indica quais afirmações estão corretas.

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São feitas afirmações sobre o TJB. Marque as alterativas que são ERRADAS.

Escolha uma ou mais:

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Com base no contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Como a corrente de coletor de um transistor é proporcionalmente limitada pela sua corrente de base, ela pode ser usada como uma espécie de interruptor controlado por corrente.
( ) O transistor funcionará como um amplificador ou outro circuito linear se o transistor for polarizado para a região não linear.
( ) Um fluxo relativamente pequeno de elétrons enviados através da base do transistor tem a capacidade de exercer controle sobre um fluxo muito maior de elétrons através do coletor.
( ) O transistor funcionará como um amplificador ou outro circuito linear se o transistor for polarizado para a região linear.
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O que é a configuração Darlington de transistores?

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As principais diferenças entre o FET e o transistor BJT são: tipo de controle da corrente: no FET é por tensão e no tradicional por corrente; a impedância de entrada: no FET é muito alta (mais alta ainda no MOSFET) e no tradicional é baixa (devido à junção PN polarizada diretamente); o tipo de portador: no FET é um tipo (elétron livre ou lacuna) e no tradicional são elétron e lacuna (por isso é chamado de bipolar); ganho de tensão: Nn FET é menor do que no BJT. Base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: Assinale a alternativa CORRETA:
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