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Circuitos digitais utilizam transistores como chaves para criar as operações lógicas necessárias. A demanda por circuitos cada vez menores e com consumo reduzido fez com que os resistores que eram utilizados em conjunto com os transistores para criar a lógica necessária fossem substituídos por outros transistores, componentes de menor volume. Estes transistores, fazem o papel de carga ativa como é o caso do transistor Q1 da imagem abaixo.
Qual o comportamento esperado para o terminal de saída Vout desse circuito, considerando o gráfico, do comportamento dos MOSFETs para um Vdd = 15V?
Em relação aos amplificadores emissor comum, coletor comum e base comum, avalie e assinale a alternativa que apresenta as diferenças em relação às impedâncias entres essas configurações.
Escolha uma opção:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- O diodo 'desligado' ou com polarização reversa ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o terminal positivo esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n.
II- O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
III- Um método alternativo para descobrir se o diodo está em polarização direta ou reversa é analisar que em polarização reversa o terminal positivo está conectado ao material semicondutor do tipo n e o terminal negativo está conectado ao material semicondutor do tipo p.
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:
I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de
São feitas afirmações sobre o TJB. Marque as alterativas que são ERRADAS.
Escolha uma ou mais:
( ) Como a corrente de coletor de um transistor é proporcionalmente limitada pela sua corrente de base, ela pode ser usada como uma espécie de interruptor controlado por corrente.
( ) O transistor funcionará como um amplificador ou outro circuito linear se o transistor for polarizado para a região não linear.
( ) Um fluxo relativamente pequeno de elétrons enviados através da base do transistor tem a capacidade de exercer controle sobre um fluxo muito maior de elétrons através do coletor.
( ) O transistor funcionará como um amplificador ou outro circuito linear se o transistor for polarizado para a região linear.
O que é a configuração Darlington de transistores?