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Para um circuito amplificador base comum com divisor de tensão na entrada e uma carga R L, operando em baixas frequências (10 Hz).
Determine a resistência equivalente na base.

A
5,0 kΩ
B
1,6 kΩ
C
1,3 kΩ
D
6,67 kΩ
E
8,3 kΩ

Em qual dos casos um amplificador do tipo coletor comum é indicado?

A

Necessidade de ganho de tensão elevado.

B

Quando a impedância da carga for alta.

C

Ganho de corrente e carga com impedância baixa.

D

Inversão de fase.

E

Limitação de corrente.

Os diodos utilizados, nesse modelo de circuitos de retificadores de meia onda, são chamados de diodos retificadores e costumam ser muito superiores aos utilizados em circuitos eletrônicos de baixa potência.
Qual é principal desvantagem de um retificador de meia onda em comparação com um retificador de onda completa?

A
custo para implementação.
B
Menor eficiência no sinal resultante.
C
Necessidade de componentes adicionais.
D
Nenhuma das alternativas anteriores está correta.
E
tamanho físico.

Um amplificador de múltiplos estágios é formado pela ligação de vários amplificadores individuais. Observe o circuito a seguir e identifique quantos estágios existem e qual é o tipo de amplificador em cada um deles.

A
Dois estágios, sendo o primeiro base-comum, e o segundo, emissor-comum.
B
Três estágios, sendo o primeiro base-comum, e os outros dois, emissor-comum.
C
Dois estágios, sendo ambos coletor-comum.
D
Dois estágios, sendo ambos emissor-comum.
E
Dois estágios, sendo ambos base-comum.

O que justifica essa diferença?

A

Somente os terminais dreno e fonte do MOSFET-D são intercambiáveis.

B

O MOSFET-E tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-D.

C

O MOSFET-E só poderá reduzir a região do substrato, enquanto o MOSFET-D pode tanto aumentar quanto diminui-la.

D

MOSFET-D se encontra normalmente em corte, enquanto o MOSFET-E está naturalmente em condução.

E

O MOSFET-D tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-E.

Sobre o IGBT, assinale a alternativa:

A
Possui as terminais base gate e dreno.
B
Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar.
C
O ganho de corrente de gate-dreno depende da corrente no coletor.
D
Não pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos, apenas para cargas resistivas.
E
É composto de source isolado por camada de SiO2 dupla e base conectada diretamente ao coletor.
midos por Q para os sistemas de potência, quando na saturação será igual a \frac{V_{CC}}{R_C}, e no caso do corte será idêntico a V_{CE}, assim a linha traçada entre estes dois pontos é a reta de carga do transistor.
( ) A corrente I_B, corrente na base do transistor, determina o estado de operação do dispositivo, define se o transistor estará em corte ou em saturação.
( ) A análise do ponto de operação do transistor BJT será a partir da curva I_C \times V_{CC}.
A
V - V - F - V.
B
V - F - V - F.
C
F - V - F - V.
D
F - V - V - F.

Com base na situação descrita, qual foi o problema constatado pelo eletrônico?

A

Diodo Zener está danificado e não está regulando a tensão em Volts.

B

Retificador em ponte está alterado e há vazamento de tensão negativa.

C

Capacitor está danificado apresentando baixa capacitância.

D

Capacitor está danificado apresentando capacitância zero e por isso não está filtrando as variações rápidas do sinal retificado.

E

Resistor R1 está danificado e está se comportando como um circuito.

Filtros Ativos de Primeira Ordem

Qual é uma vantagem de filtros de primeira ordem em termos de manutenção?

A
Dificuldade de manutenção
B
Alta complexidade
C
Facilidade de manutenção
D
Alta precisão
E
Alta potência

Quando utilizado como uma chave eletrônica, um diodo pode ser utilizado nas regiões de corte e de saturação. Como se comporta um diodo ideal quando está na região de corte?

A

Um curto-circuito

B

Imprevisível

C

Um circuito aberto

D

Indefinido

E

Uma fonte de tensão