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Considerando o circuito apresentado, podemos afirmar que:
para análise em corrente contínua, é possível tomar um circuito equivalente, pela análise de Thévenin, de modo que a tensão equivalente será dada pela tensão sobre o equivalente de
trata-se de um circuito de polarização CC com divisor de tensão, utilizado especialmente quando se deseja o projeto menos dependente do ganho de corrente.
a corrente na base dependerá do valor obtido no divisor de tensão, de modo que esta pode ser calculada a partir da tensão de Thévenin (
a tensão base-terra, nesse caso, é dada em função da tensão da fonte aplicada ao coletor, tal que se tem o seguinte cálculo em função da tensão de Thévenin
a consideração de circuito equivalente, pela análise de Thévenin, faz-se necessária nesse tipo de cálculo, sendo a resistência equivalente dada por
O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
Questão 2/5 - Instrumentação Eletrônica
Considere que os valores de
Com base no contexto sobre MESFETs, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
- ( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
- ( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
- ( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
- ( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
Com relação ao diodo de junção, sejam as assertivas a seguir:
Assinale a opção correta.
- O diodo conduz bem a corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo P, e o negativo ao tipo N.
- O diodo conduz bem a corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo N, e o negativo ao tipo P.
- O diodo obsta a condução de corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo P, e o negativo ao tipo N.
- Anodo se refere ao terminal do diodo associado ao material tipo N da junção.
- Anodo se refere ao terminal do diodo associado ao material tipo P da junção.
Observe a figura a seguir.
Com base na figura anterior, é possível observar o porquê de haver um curto-circuito, idealmente, a ser considerado na análise de um circuito elétrico ou eletrônico com amplificadores operacionais. Similarmente, como não há circulação de corrente na entrada do dispositivo, considera-se idealmente que há um aterramento. Os dois conceitos são o terra virtual e o curto-circuito virtual, utilizados para se entender e projetar amplificadores.
I. ( ) As correntes e são nulas.
II. ( ) A tensão é nula.
III. ( ) A resistência é nula.
IV. ( ) A corrente é nula.
Qual é a relação básica entre as correntes dos três terminais de um transistor do tipo TBJ?
Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.
Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos utilizados de forma semelhante aos TBJ, podendo ser utilizados em modos de chaveamento ou de amplificação, porém algumas características deste dispositivos devem ser conhecidas para a escolha do componente correto.
Assinale então a opção que corresponde a uma característica dos dispositivos FET.
Há dois tipos de MOSFETs: Os NPN e os PNP
O JFET não possui um canal que conecta os terminais Gate e Source. Desta forma, quando é estabelecida uma ddp entre estes terminais não há circulação de corrente
A corrente máxima para um JFET é chamada de IDSS e ocorre quando VGS = 0V
Nos MOSFETs tipo intensificação, assim que é estabelecida uma ddp entre os terminais Source e Drain, ocorre uma corrente de Dreno, mesmo que a tensão VGS seja zero
Nos MOSFETs há grande circulação de corrente no terminal Gate pois, este componente possui um dielétrico. Desta forma em regime permanente um curto circuito a tensões contínuas é estabelecido entre este terminal e o substrato.
Questão 10/10 - Instrumentação Eletrônica
Qual é a expressão da tensão de saída Vo(t)? Considere que a tensão do gerador é