Questões

Considerando o circuito apresentado, podemos afirmar que:

O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).

Questão 2/5 - Instrumentação Eletrônica
Considere que os valores de R_1 e R_2 do amplificador de instrumentação exibido na figura seguinte são iguais a 100 ext{k}\Omega, e que o mesmo tem um ganho de tensão igual a 1010. Calcule a tensão de saída V_o considerando: V_1 = 5,003 ext{ V} e V_2 = 5,001 ext{ V}.

Com base no contexto sobre MESFETs, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

• ( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
• ( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
• ( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
• ( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.

Com relação ao diodo de junção, sejam as assertivas a seguir:
Assinale a opção correta.

1. O diodo conduz bem a corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo P, e o negativo ao tipo N.
2. O diodo conduz bem a corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo N, e o negativo ao tipo P.
3. O diodo obsta a condução de corrente quando o potencial positivo da tensão aplicada à junção é ligado ao material tipo P, e o negativo ao tipo N.
4. Anodo se refere ao terminal do diodo associado ao material tipo N da junção.
5. Anodo se refere ao terminal do diodo associado ao material tipo P da junção.

Observe a figura a seguir.
Com base na figura anterior, é possível observar o porquê de haver um curto-circuito, idealmente, a ser considerado na análise de um circuito elétrico ou eletrônico com amplificadores operacionais. Similarmente, como não há circulação de corrente na entrada do dispositivo, considera-se idealmente que há um aterramento. Os dois conceitos são o terra virtual e o curto-circuito virtual, utilizados para se entender e projetar amplificadores.

I. ( ) As correntes e são nulas.
II. ( ) A tensão é nula.
III. ( ) A resistência é nula.
IV. ( ) A corrente é nula.

Qual é a relação básica entre as correntes dos três terminais de um transistor do tipo TBJ?

Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos utilizados de forma semelhante aos TBJ, podendo ser utilizados em modos de chaveamento ou de amplificação, porém algumas características deste dispositivos devem ser conhecidas para a escolha do componente correto.

Assinale então a opção que corresponde a uma característica dos dispositivos FET.

Questão 10/10 - Instrumentação Eletrônica

Qual é a expressão da tensão de saída Vo(t)? Considere que a tensão do gerador é V_g(t) = 0,025 \, ext{sen}(wt) \, ext{V}