Questões

Pratique com questões de diversas disciplinas e universidades

2.528 questões encontradas(exibindo 10)

Página 7 de 253

Está correta a equação abaixo? A que grandeza se refere?

u = =Qp
Q
aseSb
asVb e2
aseSb
A
Está correta e se refere a Potência de Carga (Tensão como base).
B
Está correta e se refere a Potência Aparente (reativa como base).
C
Está correta e se refere a Potência Reativa (ativa como base).
D
Está incorreta e se refere a Potência Reativa (aparente como base).
E
Está correta e se refere a Potência Reativa (aparente como base).

Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. O MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N.

Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
  • ( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET.
  • ( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
  • ( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
A
V - V - F - F.
B
V - F - V - F.
C
F - V - F - V.
D
F - F - V - V.

Ripple é o componente de corrente alternada (Vca) que se sobrepõe ao valor médio da tensão de uma fonte de corrente contínua (Vcc). A origem da ondulação normalmente está associada à utilização de carregadores baseados em retificadores. Escolha uma opção:

A
Verdadeiro
B
Falso

Quais as vantagens e desvantagens de um amplificador de diferenças?

A

Quais as vantagens de um amplificador de diferenças?

B

Quais as desvantagens de um amplificador de diferenças?

Um aquecedor elétrico tem potência de 600 ext{ W} e funciona sob uma diferença de potencial de 120 ext{ V}. Em condições normais de funcionamento, a intensidade da corrente elétrica que percorre o aquecedor, em ampères, e sua resistência elétrica, em ohms, são, respectivamente:

A
24,0 e 5,0.
B
0,2 e 600,0.
C
5,0 e 24,0.
D
0,2 e 5,0.
E
0,2 e 24,0.

Quais são as regiões de operação do JFET?

A

A região ôhmica ou região de resistência controlada por tensão.

B

A região ativa, ou região de saturação.

C

A região de ruptura.

D

A região de corte.

Dessa forma, considerando nossos estudos sobre o amplificador integrador, analise as afirmativas a seguir e a relação proposta entre elas.

I. Um circuito integrador implementado na prática é formado por um resistor de entrada e um capacitor para a realimentação

II. trata-se da configuração que traz maior estabilidade para altas frequências.

A
A afirmativa I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
B
As afirmativas I e II são proposições falsas.
C
A afirmativa I é uma proposição verdadeira, e a II é uma proposição falsa.
D
As afirmativas I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
E
As afirmativas I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.

Um amplificador transistorizado é alimentado por uma fonte de 12V. O sinal de entrada é de 2V, a resistência de base R_B = 50k ext{Ohm}, a de coletor R_C = 3k ext{Ohm} e a de emissor R_E = 1k ext{Ohm}.
Considerando o \beta do transístor igual a 300 e V_{BE} = 0,7V, qual é a tensão de saída v_o?

A
7,5V
B
9V
C
8,6V
D
8,9V
E
4V

Qual foi o principal objetivo das Cruzadas?

A

Expandir o comércio

B

Recuperar a Terra Santa

C

Converter os muçulmanos ao cristianismo

D

Estabelecer novas colônias

O Silício era utilizado como base para o mercado de eletrônica mundial, entretanto, devido as suas limitações, um novo grupo de elementos e compostos entrou no foco da tecnologia de semicondutores de banda larga (WBS – wide band semiconductor). Os mais conhecidos são o Carboneto de Silício (Silicon Carbide – SiC), o Nitreto de Gálio (Gallium Nitride – GaN) e o Diamante. Sobre o exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas: I- Os semicondutores de banda larga destacam-se porque possuem um melhor rendimento em relação a perdas por comutação, devido a sua rapidez em mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa. PORQUE II- A mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa é possível devido a uma menor concentração de portadores intrínsecos, a um maior campo elétrico de ruptura, uma maior condutividade térmica e uma maior velocidade oriunda dos elétrons saturados. Assinale a alternativa CORRETA:
A
As asserções I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
B
As asserções I e II são proposições falsas.
C
A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
D
As asserções I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.