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Está correta a equação abaixo? A que grandeza se refere?

u = =Qp
Q
aseSb
asVb e2
aseSb
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Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. O MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N.

Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

  • ( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
  • ( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET.
  • ( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
  • ( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
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Ripple é o componente de corrente alternada (Vca) que se sobrepõe ao valor médio da tensão de uma fonte de corrente contínua (Vcc). A origem da ondulação normalmente está associada à utilização de carregadores baseados em retificadores. Escolha uma opção:

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Quais as vantagens e desvantagens de um amplificador de diferenças?

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Um aquecedor elétrico tem potência de 600 ext{ W} e funciona sob uma diferença de potencial de 120 ext{ V}. Em condições normais de funcionamento, a intensidade da corrente elétrica que percorre o aquecedor, em ampères, e sua resistência elétrica, em ohms, são, respectivamente:

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Quais são as regiões de operação do JFET?

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Dessa forma, considerando nossos estudos sobre o amplificador integrador, analise as afirmativas a seguir e a relação proposta entre elas.

I. Um circuito integrador implementado na prática é formado por um resistor de entrada e um capacitor para a realimentação

II. trata-se da configuração que traz maior estabilidade para altas frequências.

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Um amplificador transistorizado é alimentado por uma fonte de 12V. O sinal de entrada é de 2V, a resistência de base R_B = 50k ext{Ohm}, a de coletor R_C = 3k ext{Ohm} e a de emissor R_E = 1k ext{Ohm}.
Considerando o \beta do transístor igual a 300 e V_{BE} = 0,7V, qual é a tensão de saída v_o?

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Qual foi o principal objetivo das Cruzadas?

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O Silício era utilizado como base para o mercado de eletrônica mundial, entretanto, devido as suas limitações, um novo grupo de elementos e compostos entrou no foco da tecnologia de semicondutores de banda larga (WBS – wide band semiconductor). Os mais conhecidos são o Carboneto de Silício (Silicon Carbide – SiC), o Nitreto de Gálio (Gallium Nitride – GaN) e o Diamante. Sobre o exposto, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas: I- Os semicondutores de banda larga destacam-se porque possuem um melhor rendimento em relação a perdas por comutação, devido a sua rapidez em mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa. PORQUE II- A mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa é possível devido a uma menor concentração de portadores intrínsecos, a um maior campo elétrico de ruptura, uma maior condutividade térmica e uma maior velocidade oriunda dos elétrons saturados. Assinale a alternativa CORRETA:
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